[实用新型]一种功率模块封装结构有效
| 申请号： | 201721815994.8 | 申请日： | 2017-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN207664044U | 公开（公告）日： | 2018-07-27 |
| 发明（设计）人： | 张敏;麻长胜;聂世义;王晓宝;赵善麒 | 申请（专利权）人： | 江苏宏微科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/18 | 分类号： | H01L25/18 |
| 代理公司： | 北京华际知识产权代理有限公司 11676 | 代理人： | 李浩 |
| 地址： | 213000 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型属于晶体管结构技术领域，具体涉及一种功率模块封装结构。其包括基板，所述基板上钎焊两个直接敷铜基板，所述两个直接敷铜基板上钎焊IGBT芯片和二极管芯片，功率端子和控制功率端子通过钎焊或超声焊接于所述直接敷铜基板，两个所述直接敷铜基板均设置集电极、发射极和控制极，一个所述直接敷铜基板的集电极通过铝线或铜线连接另一个所述直接敷铜基板的发射极，一个所述直接敷铜基板的控制极连接另一个所述直接敷铜基板。本实用新型工艺结构简单，兼容性好，批次生产中个体杂散参数差异小。 | ||
| 搜索关键词： | 直接敷铜基板 钎焊 功率模块封装 本实用新型 发射极 集电极 控制极 基板 二极管芯片 晶体管结构 铝线 参数差异 超声焊接 工艺结构 功率端子 控制功率 铜线 兼容性 杂散 生产 | ||
【主权项】：
1.一种功率模块封装结构，其特征在于：包括基板，所述基板上钎焊两个直接敷铜基板，所述两个直接敷铜基板上钎焊IGBT芯片和二极管芯片，功率端子和控制功率端子通过钎焊或超声焊接于所述直接敷铜基板，两个所述直接敷铜基板均设置集电极、发射极和控制极，一个所述直接敷铜基板的集电极通过铝线或铜线连接另一个所述直接敷铜基板的发射极，一个所述直接敷铜基板的控制极连接另一个所述直接敷铜基板。
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