[实用新型]一种LED线性去工频系统有效
申请号: | 201721797310.6 | 申请日: | 2017-12-20 |
公开(公告)号: | CN208724231U | 公开(公告)日: | 2019-04-09 |
发明(设计)人: | 刘拓夫;周俊 | 申请(专利权)人: | 昂宝电子(上海)有限公司 |
主分类号: | H05B33/08 | 分类号: | H05B33/08 |
代理公司: | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人: | 孙洋 |
地址: | 201203 上海市浦东新区*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本实用新型涉及一种LED线性去工频系统。系统包括:驱动单元,驱动单元一端耦接到电源,一端与一个或多个LED灯珠耦接;以及去工频单元,去工频单元与驱动单元以及一个或多个LED灯珠耦接;其中去工频单元被配置为将来自的驱动单元的输出电压纹波叠加到内部的金属‑氧化物半导体场效应晶体管MOSFET两端,从而抑制输出到一个或多个LED灯珠的电流的工频纹波。 | ||
搜索关键词: | 驱动单元 工频单元 工频 耦接 场效应晶体管 输出电压纹波 氧化物半导体 本实用新型 工频纹波 叠加 电源 金属 输出 配置 | ||
【主权项】:
1.一种LED线性去工频系统,包括:驱动单元,所述驱动单元一端耦接到电源,一端与一个或多个LED灯珠耦接;以及去工频单元,所述去工频单元与所述驱动单元以及所述一个或多个LED灯珠耦接;其中所述去工频单元被配置为将来自的驱动单元的输出电压纹波叠加到内部金属‑氧化物半导体场效应晶体管MOSFET两端,从而抑制输出到所述一个或多个LED灯珠的电流的工频纹波。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于昂宝电子(上海)有限公司,未经昂宝电子(上海)有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201721797310.6/,转载请声明来源钻瓜专利网。