[实用新型]一种三维高集成小型化E-H混合式非标波导功分器有效
| 申请号： | 201721795196.3 | 申请日： | 2017-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN207651646U | 公开（公告）日： | 2018-07-24 |
| 发明（设计）人： | 贾建鹏;才博;祝大龙;刘德喜;史磊;王雁翔 | 申请（专利权）人： | 北京遥测技术研究所;航天长征火箭技术有限公司 |
| 主分类号： | H01P5/20 | 分类号： | H01P5/20 |
| 代理公司： | 中国航天科技专利中心 11009 | 代理人： | 张晓飞 |
| 地址： | 100076 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种三维高集成小型化E‑H混合式非标波导功分器，采用T型结实现二进制1分32路波导功率分配/合成功能。波导传输线具有低损耗、大功率、易散热等优点被广泛应用于功率合成，为缩小体积，将平面传输方式改进为三维立体层级结构，将整个功分器分为四层，混合采用E面和H面T型结，并通过采用非标准尺寸的矩形波导和优化波导阻抗匹配过渡结构，进一步压缩整体体积，最终实现了小型化。该功分器的输入端口在最顶端，32个输出端口在同一底层平面上，呈4×8阵列式分布。经HFSS软件仿真表明，在9.2GHz～10GHz工作频率内，各项性能指标良好。 | ||
| 搜索关键词： | 波导功分器 高集成 功分器 非标 三维 二进制 波导功率分配 波导传输线 阵列式分布 层级结构 底层平面 工作频率 功率合成 过渡结构 合成功能 矩形波导 平面传输 三维立体 输出端口 输入端口 阻抗匹配 低损耗 非标准 最顶端 散热 波导 压缩 优化 应用 改进 | ||
【主权项】：
1.一种三维高集成小型化E‑H混合式非标波导功分器，其特征在于：采用三维立体层级结构，混合采用E面T型结和H面T型结，底层阻抗匹配过渡结构处在拐角区。
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- 张凯 - 上海安费诺永亿通讯电子有限公司
- 2017-10-25 - 2018-05-25 - H01P5/20
- 本实用新型公开了一种用于无线移动通信系统的超宽带三频四端口微带合路器，由双面印刷线路板制成，PCB板背面为整面铜层，PCB板正面线路包括合路端口、第一分频端口、第二分频端口、第三分频端口、3G&4G通路和5G通路，其中：所述3G&4G通路和5G通路通过T型结在合路端口处合路；所述5G通路由一个高通滤波器构成，并连接到第三分频端口；所述3G&4G通路由一个第一低通滤波器、3G&4G低频段通路和3G&4G高频段通路三部分通过T型结组成；所述3G&4G低频段通路由一个第二低通滤波器构成，并连接到第一分频端口；所述3G&4G高频段通路由一个带通滤波器构成，并连接到第二分频端口。
- 管式耦合器-201721059639.2
- 任纪宁;赵社利 - 南京安尔泰通信科技有限公司
- 2017-08-23 - 2018-05-01 - H01P5/20
- 本实用新型提供了一种管式耦合器，包括空心管状外导体，外导体一端安装有输入端接头，另一端安装有输出端接头，外导体靠近输出端接头处侧壁安装有耦合装置；所述的外导体内部设置有中心导体，中心导体与外导体之间通过空气介质隔离；所述的耦合装置包括耦合内导体和耦合外壳，耦合外壳连接有耦合接头，耦合内导体一端通过绝缘子与中心导体连接，另一端伸出耦合外壳进入耦合接头内。本实用新型采用空气介质，没有损耗性电阻元件，使插损减小到最低，可靠性得以提高。
- 一种基于E‑T接头的小型化波导功率合成网络-201711122633.X
- 张国强;李磊;武华锋;华根瑞;杨莉;马云柱;张思明 - 西安电子工程研究所
- 2017-11-14 - 2018-04-20 - H01P5/20
- 本发明涉及一种基于E‑T接头的小型化波导功率合成网络，主要应用于W波段收发组件及其它需要小型化功率合成的领域，网络的输入端为标准50Ω微带线，采用石英(SiO2)材料，薄膜工艺加工，输出端为标准的WR10接口，波导口尺寸采用1.27mm×2.54mm。整个合成网络采用背对背波导结构，在合成器的波导合成对称处，引入“锲”型切口，改善了驻波，使波导的阻抗更加匹配。该种功率合成网络，合成效率达到了93.6％。该种功率合成结构已经应用于项目中，完成工程验证，具有很好的可靠性和一致性。
- 具有滤波功能的腔体魔T结构-201510089255.4
- 褚慧;陈建新;唐慧;周立衡;秦伟;陆清源;包志华 - 南通大学
- 2015-02-27 - 2018-04-13 - H01P5/20
- 本发明公开了一种具有滤波功能的腔体魔T结构，包括介质基板以及分别设置于介质基板上表面和下表面的上金属层和下金属层；介质基板上设置有多个金属化通孔；该上金属层、下金属层以及该三个预设圆的圆周上的金属化通孔对应围成第一圆形谐振腔、第二圆形谐振腔以及第三圆形谐振腔；第一圆形谐振腔分别与第二圆形谐振腔以及第三圆形谐振腔耦合级联，介质基板的上表面设置有第二输入馈电结构、第三输入馈电结构以及两个第一输出馈电结构。由于本发明采用了三个圆形谐振腔，利用圆形谐振腔中正交的两个模式，使得在单层介质板工艺中不但完成了魔T结构所应具备的同向输出和反向输出功能，还能够对处于工作频段以外的微波起到抑制和滤波作用。
- 折叠波导H面魔T-201711267504.X
- 王清源;邓杰 - 成都银赫科技有限公司
- 2017-12-05 - 2018-03-23 - H01P5/20
- 本发明公开了折叠波导H面魔T，包括耦合腔、与耦合腔连通的端口A、端口B、端口C和端口D；所述端口B和端口C分别位于端口A的左右两侧，端口D设置在耦合腔的底部，在端口B和端口C与耦合腔之间设置有多节波导段以及位于波导段底部的金属脊。本发明的折叠波导H面魔T具有准平面结构并易于集成，结构简单紧凑、高达41％的相对作带宽、加工调试成本低、输出端之间隔离度好、输出端之间幅相精度高等特点，可以广泛地应用于天线阵、相控阵雷达、功率分配和合成等领域中。
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