[实用新型]一种薄膜晶体管、阵列基板、显示装置有效
| 申请号： | 201721532908.2 | 申请日： | 2017-11-16 |
| 公开（公告）号： | CN207367976U | 公开（公告）日： | 2018-05-15 |
| 发明（设计）人： | 刘伟;剧永波;靳希康;王志敏;高建斌;陈小广;周鑫博;陈建军 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司;鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L27/12 | 分类号： | H01L27/12;H01L29/786;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 柴亮;张天舒 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型提供一种薄膜晶体管、阵列基板、显示装置，属于显示技术领域，其可解决现有的LTPS中多晶硅容易被过刻的问题。本实用新型的薄膜晶体管中包括多层绝缘层，其中，至少一层设于低温多晶硅层上方的绝缘层采用树脂材料形成，后续的在该树脂材料中形成过孔时，无需干刻工艺，采用曝光显影的方法即可，可以有效避免该绝缘层下方的低温多晶硅层被过刻。本实用新型的薄膜晶体管还可以增加漏极与低温多晶硅材料层的接触面积和均一性，提高电导率；第二绝缘层的第二过孔与第一绝缘层的第一过孔的曝光显影工艺可以一步完成，大幅减少产品的生产周期，提高设备产能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 薄膜晶体管 阵列 显示装置 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括衬底，以及设于所述衬底上的低温多晶硅层、多层绝缘层、栅极；其中，至少一层绝缘层由树脂材料构成，且设于所述低温多晶硅层远离衬底的一侧的绝缘层设有过孔。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
