[实用新型]一种提升质量的碳化硅单晶生长装置

摘要

本实用新型公开了一种提升质量的碳化硅单晶生长装置，包括石墨坩埚、石墨盖和石墨软毡保温层，所述石墨盖位于石墨坩埚顶部封闭所述石墨坩埚，所述石墨盖内侧中心突出区域粘合有籽晶片，所述石墨软毡保温层包覆所述石墨坩埚的周围、顶部、底部，所述石墨坩埚内放置有碳化硅粉末，所述石墨坩埚内碳化硅粉末与籽晶片之间的区域架设石墨支撑环，所述石墨支撑环上安装有导流筒，所述导流筒内固定一层或多层的金属过滤片，所述金属过滤片内均匀分布有通孔。本实用新型在坩埚内原料与籽晶之间的空间装设耐高温的金属过滤片与导流筒，可以有效过滤掉碳杂质，避免在晶体生长过程中形成碳包裹物，进而引发微管、位错等缺陷的产生，生成高质量的碳化硅单晶。 1

主权项

1.一种提升质量的碳化硅单晶生长装置，包括石墨坩埚(1)、石墨盖(2)和石墨软毡保温层(3)，所述石墨盖(2)位于石墨坩埚(1)顶部封闭所述石墨坩埚(1)，所述石墨盖(2)内侧中心突出区域粘合有籽晶片(4)，所述石墨软毡保温层(3)包覆所述石墨坩埚(1)的周围、顶部、底部，所述石墨坩埚(1)内放置有碳化硅粉末(5)，其特征在于：所述石墨坩埚(1)内碳化硅粉末(5)与籽晶片(4)之间的区域架设石墨支撑环(6)，所述石墨支撑环(6)上安装有导流筒(7)，所述导流筒(7)内固定一层或多层的金属过滤片(8)，所述金属过滤片(8)内均匀分布有通孔(9)。

2.根据权利要求1所述的一种提升质量的碳化硅单晶生长装置，其特征在于：所述石墨软毡保温层(3)设有1‑4层，每层厚度为5‑10mm。

3.根据权利要求1所述的一种提升质量的碳化硅单晶生长装置，其特征在于：所述石墨支撑环(6)架设在离石墨坩埚(1)顶部1/2‑1/3石墨坩埚高度的区域。

4.根据权利要求1所述的一种提升质量的碳化硅单晶生长装置，其特征在于：所述导流筒(7)为圆柱体，导流筒(7)与石墨支撑环(6)垂直或以1‑5度角度朝下方扩大。

5.根据权利要求1所述的一种提升质量的碳化硅单晶生长装置，其特征在于：所述导流筒(7)与金属过滤片(8)厚度为0.1‑0.5mm。

6.根据权利要求1所述的一种提升质量的碳化硅单晶生长装置，其特征在于：所述金属过滤片(8)设有1‑5层，层与层的间隙为10‑20mm。

7.根据权利要求1所述的一种提升质量的碳化硅单晶生长装置，其特征在于：所述通孔(9)的直径、长、宽尺寸为0.1‑1mm。