[实用新型]非对称式太赫兹波探测器有效
申请号: | 201721099715.2 | 申请日: | 2017-08-30 |
公开(公告)号: | CN207165592U | 公开(公告)日: | 2018-03-30 |
发明(设计)人: | 孙云飞;班建民;刘传洋;胡伏原 | 申请(专利权)人: | 苏州科技大学 |
主分类号: | H01L31/102 | 分类号: | H01L31/102 |
代理公司: | 苏州翔远专利代理事务所(普通合伙)32251 | 代理人: | 陆金星 |
地址: | 215009 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种非对称式太赫兹波探测器,包括基底层;基底层上设有氮化镓层;氮化镓层上设有源电极、漏电极、氮化铝镓层;氮化镓层与氮化铝镓层之间设有硫化镓层;氮化铝镓层上设有1号天线、2号天线、3号天线、栅极;1号天线、2号天线、3号天线呈品字形分布;1号天线包括天线主轴、天线左翼、天线右翼;天线主轴为长方体型;天线左翼包括复数个长方体片;2号天线为长方体结构;2号天线靠近栅极的侧面设有凹槽;3号天线为梯形体结构;梯形体上表面设有凹槽。本实用新型可以收集不同方向的电磁波,实现了多向、准确检测。 | ||
搜索关键词: | 对称 赫兹 探测器 | ||
【主权项】:
一种非对称式太赫兹波探测器,包括基底层;所述基底层上设有氮化镓层;所述氮化镓层上设有源电极、漏电极、氮化铝镓层;所述氮化镓层与氮化铝镓层之间设有硫化镓层;所述氮化铝镓层位于源电极、漏电极之间;所述氮化铝镓层上设有1号天线、2号天线、3号天线、栅极;所述1号天线、2号天线、3号天线呈品字形分布;所述1号天线包括天线主轴、天线左翼、天线右翼;所述天线主轴为长方体型;所述天线左翼包括复数个长方体片;所述天线右翼包括复数个长方体片;所述天线左翼的复数个长方体片长度互不相同;所述天线右翼的复数个长方体片长度互不相同;所述2号天线为长方体结构;所述2号天线靠近栅极的侧面设有凹槽;所述3号天线为梯形体结构;所述梯形体上表面设有凹槽。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
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