[实用新型]一种基于LTCF及薄膜工艺组合的EMI低通滤波器有效
申请号: | 201721081853.8 | 申请日: | 2017-08-28 |
公开(公告)号: | CN207083065U | 公开(公告)日: | 2018-03-09 |
发明(设计)人: | 李小珍;邢孟江;代传相;刘永红;王茂郢 | 申请(专利权)人: | 邢孟江 |
主分类号: | H03H7/01 | 分类号: | H03H7/01 |
代理公司: | 北京市盈科律师事务所11344 | 代理人: | 罗东 |
地址: | 650200 云南省昆明市*** | 国省代码: | 云南;53 |
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摘要: | 本实用新型涉及一种LTCF及薄膜工艺组合的EMI低通滤波器,属于低通滤波器技术领域。本实用新型包括三个依次串联连接的电感和两个并联连接的电容;所述的电感采用垂直螺旋电感,埋置于铁氧体介质中;所述的电容采用薄膜电容,依次包括形成于铁氧体介质表面的复合粘附层,金属层Ⅰ,氮化硅层Ⅰ,金属层Ⅱ,氮化硅层Ⅱ。本实用新型通过LTCF及薄膜工艺组合实现EMI低通滤波器,基于LTCF工艺实现的垂直螺旋电感,在有限的空间内有效提高电感量和电感Q值,基于薄膜工艺实现电容得到精准电容量。 | ||
搜索关键词: | 一种 基于 ltcf 薄膜 工艺 组合 emi 滤波器 | ||
【主权项】:
一种LTCF及薄膜工艺组合的EMI低通滤波器,包括输入端和输出端,其特征在于:包括三个依次串联连接的电感和两个并联连接的电容;所述的电感采用垂直螺旋电感,埋置于铁氧体介质中;所述的电容采用薄膜电容,依次包括形成于铁氧体介质表面的复合粘附层,金属层Ⅰ,氮化硅层Ⅰ,金属层Ⅱ,氮化硅层Ⅱ。
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