[实用新型]一种基于电磁逆变磁振动技术的装置

摘要

本实用新型涉及一种基于电磁逆变磁振动技术的装置，包括基座、固定架组、带有强磁的固定弹簧钢片、固定片、逆变电路、单片机及控制面板，固定架组设于基座上，单片机、逆变电路和控制面板依次连接，逆变电路包括电磁线圈，电磁线圈设于固定架组的两个固定架之间，带有强磁的固定弹簧钢片通过固定片设于电磁线圈的两端。本实用新型通过增加防振垫减少底座振动产生的噪声，线圈噪声隔离罩屏蔽噪声，优化减少磁路间隙，改实心磁芯为一定厚度空心磁芯，从根本上减少漏磁和涡流效应；利用逆变电路实现振动，可灵活调整振频及幅度。

主权项

一种基于电磁逆变磁振动技术的装置，其特征在于，包括基座、固定架组、带有强磁的固定弹簧钢片、固定片、逆变电路、单片机及控制面板，所述固定架组设于所述基座上，所述单片机、所述逆变电路和所述控制面板依次连接，所述逆变电路包括电磁线圈，所述电磁线圈设于所述固定架组的两个固定架之间，所述带有强磁的固定弹簧钢片通过所述固定片设于所述电磁线圈的两端；所述逆变电路还包括第一接入电阻、第一上拉电阻、第一NPN型三极管、第一P沟道MOSFET、第一N沟道MOSFET，第一稳压管、第二稳压管、第二接入电阻、第二上拉电阻、第二NPN型三极管、第二P沟道MOSFET、第二N沟道MOSFET、第三稳压管、第四稳压管和固定电阻，所述第一接入电阻连接所述第一NPN型三极管的基极，所述第一NPN型三极管的集电极通过所述第一上拉电阻连接外部电源并分别连接所述第一P沟道MOSFET的G端和所述第一N沟道MOSFET的G端，所述第一NPN型三极管的发射极接地，所述第一P沟道MOSFET的S端连接外部电源，所述第一P沟道MOSFET的D端连接所述第一N沟道MOSFET的D端，所述第一N沟道MOSFET的S端接地，所述第一稳压管和所述第二稳压管串接后设于外部电源和接地之间，所述第一P沟道MOSFET的D端连接所述第一稳压管的正极并通过所述固定电阻连接所述电磁线圈的一端；所述第二接入电阻连接所述第二NPN型三极管的基极，所述第二NPN型三极管的集电极通过所述第二上拉电阻连接外部电源并分别连接所述第二P沟道MOSFET的G端和所述第二N沟道MOSFET的G端，所述第二NPN型三极管的发射极接地，所述第二P沟道MOSFET的S端连接外部电源，所述第二P沟道MOSFET的D端连接所述第二N沟道MOSFET的D端，所述第二N沟道MOSFET的S端接地，所述第三稳压管和所述第四稳压管串接后设于外部电源和接地之间，所述第二P沟道MOSFET的D端连接所述第三稳压管的正极并通过所述固定电阻连接所述电磁线圈的另一端。