[实用新型]一种基于电磁逆变磁振动技术的装置

说明书

技术领域

本实用新型属于艺术礼品技术领域，具体涉及一种电磁逆变振动展示装置，尤其涉及一种基于电磁逆变磁振动技术的装置。

背景技术

逆变技术是在电力电子技术中主要及核心技术之一，它主要应用于各种逆变电源、变频电源、开关电源、UPS电源、交流稳压电源、电力系统的无功补偿、电力有源滤波器、变频调整器、电动汽车、电气火车、燃料电池静置式发电站等，其中电磁逆变方式主要应用在电磁炉加热、振动筛选机、振动搅拌和振动按摩等。考虑到振动过程中会产生噪声，而电磁线圈磁芯会产生涡流热效应，对于产品设计的尺寸大小和电磁力控制方式提出了较高的要求。

实用新型内容

有鉴于此，本实用新型的目的是提供一种基于电磁逆变磁振动技术的装置，以解决现有技术中的不足。

为了达到上述目的，本实用新型的目的是通过下述技术方案实现的：

提供一种基于电磁逆变磁振动技术的装置，包括基座、固定架组、带有强磁的固定弹簧钢片、固定片、逆变电路、单片机及控制面板，所述固定架组设于所述基座上，所述单片机、所述逆变电路和所述控制面板依次连接，所述逆变电路包括电磁线圈，所述电磁线圈设于所述固定架组的两个固定架之间，所述带有强磁的固定弹簧钢片通过所述固定片设于所述电磁线圈的两端。

上述基于电磁逆变磁振动技术的装置，其中，所述逆变电路还包括第一接入电阻、第一上拉电阻、第一NPN型三极管、第一P沟道MOSFET、第一N沟道MOSFET，第一稳压管、第二稳压管、第二接入电阻、第二上拉电阻、第二NPN型三极管、第二P沟道MOSFET、第二N沟道MOSFET、第三稳压管、第四稳压管和固定电阻，所述第一接入电阻连接所述第一NPN型三极管的基极，所述第一NPN型三极管的集电极通过所述第一上拉电阻连接外部电源并分别连接所述第一P沟道MOSFET的G端和所述第一N沟道MOSFET的G端，所述第一NPN型三极管的发射极接地，所述第一P沟道MOSFET的S端连接外部电源，所述第一P沟道MOSFET的D端连接所述第一N沟道MOSFET的D端，所述第一N沟道MOSFET的S端接地，所述第一稳压管和所述第二稳压管串接后设于外部电源和接地之间，所述第一P沟道MOSFET的D端连接所述第一稳压管的正极并通过所述固定电阻连接所述电磁线圈的一端；所述第二接入电阻连接所述第二NPN型三极管的基极，所述第二NPN型三极管的集电极通过所述第二上拉电阻连接外部电源并分别连接所述第二P沟道MOSFET的G端和所述第二N沟道MOSFET的G端，所述第二NPN型三极管的发射极接地，所述第二P沟道MOSFET的S端连接外部电源，所述第二P沟道MOSFET的D端连接所述第二N沟道MOSFET的D端，所述第二N沟道MOSFET的S端接地，所述第三稳压管和所述第四稳压管串接后设于外部电源和接地之间，所述第二P沟道MOSFET的D端连接所述第三稳压管的正极并通过所述固定电阻连接所述电磁线圈的另一端。

上述基于电磁逆变磁振动技术的装置，其中，所述带有强磁的固定弹簧钢片上设有柔性装饰物。

上述基于电磁逆变磁振动技术的装置，其中，所述柔性装饰物为花草或羽毛。

上述基于电磁逆变磁振动技术的装置，其中，所述基座上设有防振垫。

上述基于电磁逆变磁振动技术的装置，其中，所述电磁线圈采用磁芯。

上述基于电磁逆变磁振动技术的装置，其中，所述电磁线圈外设有噪声隔离罩。

与已有技术相比，本实用新型的有益效果在于：

通过增加防振垫减少底座振动产生的噪声，线圈噪声隔离罩屏蔽噪声，优化减少磁路间隙，改实心磁芯为一定厚度空心磁芯，从根本上减少漏磁和涡流效应；利用逆变电路实现振动，可灵活调整振频及幅度。

附图说明

构成本实用新型的一部分的附图用来提供对本实用新型的进一步理解，本实用新型的示意性实施例及其说明用于解释本实用新型，并不构成对本实用新型的不当限定。在附图中：

图1示出了本实用新型基于电磁逆变磁振动技术的装置的结构示意图；

图2示出了本实用新型基于电磁逆变磁振动技术的装置的逆变电路的电路图。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。