[实用新型]一种非接触式标识存储器的读写电路

摘要

本实用新型公开了一种非接触式标识存储器的读写电路，包括交变磁场发射电路、接收解调电路；所述交变磁场发射电路主要由4MHz晶振、32分频器、低通滤波电路和驱动电路构成，所述4MHz晶振连接所述32分频器，所述32分频器经过所述低通滤波电路连接所述驱动电路；所述接收解调电路主要由解调电路、阻容滤波电路、第一滤波整形电路和第二滤波整形电路构成。本实用新型在不造成电磁污染的同时，增加了交变磁场强度，增加信号接收的灵敏度，收到了良好的效果，平均读写距离由原来的4cm左右延长到10cm左右。

主权项

一种非接触式标识存储器的读写电路，包括交变磁场发射电路、接收解调电路，其特征在于：所述交变磁场发射电路主要由4MHz晶振、32分频器、低通滤波电路和驱动电路构成，所述4MHz晶振连接所述32分频器，所述32分频器经过所述低通滤波电路连接所述驱动电路；所述低通滤波电路由第一电感（L1）和第一电容（C1）组成；所述驱动电路主要由三个三极管组成，所述三个三极管包括两个PNP型三极管，一个NPN型三级管，第一PNP型三级管（T1）的基极连接所述低通滤波电路，其集电极接地，其发射极连接第二PNP型三级管（T2）的基极，所述第二PNP型三级管（T2）的集电极接地，其发射极通过电阻连接至NPN型三级管（T3）的发射极，所述NPN型三级管（T3）的基极通过二极管连接至所述第二PNP型三级管（T2）的基极，通过电阻连接至所述低通滤波电路，所述NPN型三级管（T3）的集电极连接+9V电源；所述第二PNP型三级管（T2）的发射极和集电极之间连接有串联谐振电路，所述串联谐振电路由第二电感（L2）和第二电容（C2）串联而成，所述第二电感（L2）连接所述第二PNP型三级管（T2）的发射极；所述第二电容（C2）连接所述第二PNP型三级管（T2）的集电极；所述接收解调电路主要由解调电路、阻容滤波电路、第一滤波整形电路和第二滤波整形电路构成；所述解调电路由检波二极管（D1）、解调电容（C3）和解调电阻（R1）组成，所述解调电容（C3）和所述解调电阻（R1）并联后，一端接地，另一端连接至所述检波二极管（D1）正极，所述检波二极管（D1）负极连接至所述第二电感（L2）和所述第二电容（C2）之间；所述阻容滤波电路由第一阻容滤波电阻（R2）、第一阻容滤波电容（C4）、第二阻容滤波电容（C5）、第二阻容滤波电阻（R3）组成，所述第一阻容滤波电阻（R2）、第二阻容滤波电容（C5）、第二阻容滤波电阻（R3）串联，并与所述检波二极管（D1）串联，所述第一阻容滤波电容（C4）与所述解调电阻（R1）并联；所述第一滤波整形电路主要由第一运放（U1）、第二运放（U2）构成，所述第一运放（U1）的负向输入端连接所述阻容滤波电路，其正向输入端连接所述第二运放（U2）的正向输入端，并共同连接+5V电压，所述第一运放（U1）输出端连接所述第二运放（U2）的负向输入端，所述第二运放（U2）输出端连接所述第二滤波整形电路；所述第二滤波整形电路主要由第三运放（U3）构成，所述第三运放（U3）的正向输入端连接所述第二运放（U2）的输出端，其负向输入端连接+5V电压，其输出端连接MCU。