[实用新型]一种混合内嵌型电磁带隙结构

摘要

本实用新型实施例提供一种混合内嵌型电磁带隙结构，涉及电子器件技术领域，用以提供一种成本低，且实现超宽带抑制SSN的电磁带隙结构，包括电源平面、地平面以及绝缘介质；在电源平面上设置有电磁带隙结构，电磁带隙结构包括M×N个基本单元，基本单元为Z‑bridge电磁带隙结构，Z‑bridge电磁带隙结构包括第二逻辑单元，第二逻辑单元的四个边中每相邻两个边上均蚀刻有L型结构；在M×N个基本单元中存在Q个Z‑bridge电磁带隙结构中的每个Z‑bridge电磁带隙结构的中心蚀刻有目标沟槽，每个目标沟槽内内嵌有L‑Bridge电磁带隙结构，Q个L‑Bridge电磁带隙结构按照第一预设规则排列。

主权项

一种混合内嵌型电磁带隙结构，其特征在于，包括：电源平面、地平面以及位于所述电源平面和所述地平面之间的绝缘介质；在所述电源平面的第一面设置有至少一个电磁带隙结构，所述电源平面的第一面指所述电源平面未与所述绝缘介质相连的一面；所述电磁带隙结构用于抑制同步开关噪声；所述电磁带隙结构包括以M行×N列分布的M×N个基本单元，所述M×N个基本单元周期分布，所述基本单元为30mm×30mm的Z‑bridge电磁带隙结构，其中，M和N为大于或等于3的整数；所述M×N个基本单元中每相邻的两个基本单元之间采用L‑型桥连接；Z‑bridge电磁带隙结构包括：呈正方形的第二逻辑单元，所述第二逻辑单元的四个边中每相邻两个边上均蚀刻有一个L型结构；在所述M×N个基本单元中存在Q个Z‑bridge电磁带隙结构，在所述Q个Z‑bridge电磁带隙结构中的每个Z‑bridge电磁带隙结构的中心区域蚀刻有目标沟槽，一个所述Z‑bridge电磁带隙结构的目标沟槽与内嵌在所述Z‑bridge电磁带隙结构内的L‑Bridge电磁带隙结构一致，一个所述Z‑bridge电磁带隙结构的目标沟槽用于内嵌一个L‑Bridge电磁带隙结构，在Q个目标沟槽中的每个目标沟槽内均内嵌有一个L‑Bridge电磁带隙结构，其中，所述Q为大于或等于4且小于或等于M×N的整数；Q个L‑Bridge电磁带隙结构按照第一预设规则排列。