[实用新型]一种高频的宽带大功率负载芯片有效
| 申请号： | 201720120434.4 | 申请日： | 2017-02-09 |
| 公开（公告）号： | CN206451801U | 公开（公告）日： | 2017-08-29 |
| 发明（设计）人： | 谭春明;许欢 | 申请（专利权）人： | 成都泰格微电子研究所有限责任公司 |
| 主分类号： | H01P1/26 | 分类号： | H01P1/26 |
| 代理公司： | 成都金英专利代理事务所(普通合伙)51218 | 代理人： | 袁英 |
| 地址： | 611731 四*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种高频的宽带大功率负载芯片,包括介质基片(1),所述的介质基片(1)的上表面设置有第一金属带线（2）、第二金属带线（4）和长方形的薄膜电阻层（3）；薄膜电阻层（3）设置于第一金属带线（2）和第二金属带线（4）之间，且分别与第一金属带线（2）和第二金属带线（4）电连接；所述介质基片（1）的下表面设置有金属层。本实用新型提供了一种高频的宽带大功率负载芯片，能够在宽带大功率负载芯片匹配阻抗固定的前提下，保证其良好的耐受功率，且第二金属带线连接薄膜电阻层，且在介质基板下表面设置金属层，使用时介质基板下表面设置金属层接地，使得第二金属带线与地之间形成等效电容，适用于高频环境。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高频 宽带 大功率 负载 芯片 | ||
【主权项】：
一种高频的宽带大功率负载芯片，其特征在于：包括介质基片(1),所述的介质基片(1)的上表面设置有第一金属带线（2）、第二金属带线（4）和长方形的薄膜电阻层（3）；薄膜电阻层（3）设置于第一金属带线（2）和第二金属带线（4）之间，且分别与第一金属带线（2）和第二金属带线（4）电连接；所述介质基片（1）的下表面设置有金属层。
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