[实用新型]硅胶基导热储热片有效

专利信息
申请号: 201720058355.5 申请日: 2017-01-17
公开(公告)号: CN206490962U 公开(公告)日: 2017-09-12
发明(设计)人: 郭志军 申请(专利权)人: 苏州鸿凌达电子科技有限公司
主分类号: H05K9/00 分类号: H05K9/00;H05K7/20
代理公司: 昆山四方专利事务所32212 代理人: 盛建德,段新颖
地址: 215300 江苏省苏州市*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 实用新型公开了一种硅胶基导热储热片,包括导热硅胶片,导热硅胶片两面均敷有一层纳米铜碳,纳米铜碳包括经纳米工艺处理的纳米铜箔、依次形成于纳米铜箔一侧的用于热辐射吸收导热的纳米导热材料涂层及用于实现绝缘的纳米绝缘材料涂层和形成于纳米铜箔相对的另一侧的用于增强空间辐射热的吸收的热辐射低酸均热层,热辐射低酸均热层与导热硅胶片接触。本实用新型通过在导热硅胶片两面均复合涂敷一层纳米铜碳,利用纳米铜碳在垂直和水平方向的导热优良性,弥补了导热硅胶的一些不足,同时结合硅胶体的厚度优势,实现了导热储热的性能。
搜索关键词: 硅胶 导热 储热片
【主权项】:
一种硅胶基导热储热片,其特征在于:包括导热硅胶片(1),所述导热硅胶片两面均敷有一层纳米铜碳(2),所述纳米铜碳包括经纳米工艺处理的纳米铜箔(21)、依次形成于所述纳米铜箔一侧的用于热辐射吸收导热的纳米导热材料涂层(22)及用于实现绝缘的纳米绝缘材料涂层(23)和形成于所述纳米铜箔相对的另一侧的用于增强空间辐射热的吸收的热辐射低酸均热层(24),所述热辐射低酸均热层与所述导热硅胶片接触。
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