[实用新型]带有抽真空系统的平板式PECVD工艺腔有效
申请号: | 201720040750.0 | 申请日: | 2017-01-13 |
公开(公告)号: | CN206477025U | 公开(公告)日: | 2017-09-08 |
发明(设计)人: | 傅林坚;石刚;洪昀;吴威;高振波;王伟星;祝广辉 | 申请(专利权)人: | 浙江晶盛机电股份有限公司 |
主分类号: | C23C16/44 | 分类号: | C23C16/44 |
代理公司: | 杭州中成专利事务所有限公司33212 | 代理人: | 周世骏 |
地址: | 312300 浙江*** | 国省代码: | 浙江;33 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本实用新型涉及晶硅太阳能电池生产设备,旨在提供一种带有抽真空系统的平板式PECVD工艺腔。在中空状工艺腔的底部边缘设有多个抽气口,位于同一侧的抽气口通过管路接至同一根横管,横管通过管路接至三通或四通接头的水平接口;三通或四通接头的向下接口处装设可拆卸堵头,向上接口处连接一根竖管;竖管通过真空管道连接至真空泵,在竖管与真空管道相接处设过滤网。本实用新型除利用过滤网对各种颗粒粉尘进行拦截,还利用杂质自身重力来限制杂质进入真空泵,保护真空泵,延长了真空泵的使用寿命。在结构上的改动不大,设计合理,使用效果良好,能缩短抽真空时间提高生产效率;提高真空室气流的稳定性,使镀膜的条件更加理想化,提高膜的质量。 | ||
搜索关键词: | 带有 真空 系统 平板 pecvd 工艺 | ||
【主权项】:
一种带有抽真空系统的平板式PECVD工艺腔,该工艺腔呈中空状;其特征在于,在工艺腔的底部边缘设有多个抽气口,其中位于同一侧的抽气口通过管路接至同一根横管,横管通过管路接至三通接头或四通接头的水平接口;三通接头或四通接头还包括向下接口和向上接口,其中向下接口处装设可拆卸堵头,向上接口处连接一根竖管;该竖管通过真空管道连接至真空泵,在竖管与真空管道相接处设过滤网。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的