[实用新型]一种用于抑制电流镜漏电流的CMOS集成电路、环境光传感器有效
申请号: | 201720019074.9 | 申请日: | 2017-01-09 |
公开(公告)号: | CN206558503U | 公开(公告)日: | 2017-10-13 |
发明(设计)人: | 刘珍利;周盛 | 申请(专利权)人: | 华润半导体(深圳)有限公司 |
主分类号: | H01L27/092 | 分类号: | H01L27/092 |
代理公司: | 北京正理专利代理有限公司11257 | 代理人: | 付生辉,张雪梅 |
地址: | 518040 广东省深圳市福田*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本实用新型公开一种用于抑制电流镜漏电流的CMOS集成电路,包括电流镜放大电路和抑制电流镜漏电流电路。本实用新型进一步公开了一种含上述抑制电流镜漏电流电路的环境光传感器电路。本实用新型通过设置抑制电流镜漏电流电路,为电流镜放大电路的第一级电流镜漏电流和第二级电流镜漏电流提供了其他通路,使电流镜放大电路的第一级电流镜漏电流和第二级电流镜漏电流不会进入电流镜放大电路的第三级电流镜的输入端,从而不会被第三级电流镜放大并输出。因此,保证了电流镜放大电路的低噪声系数,使得电路镜放大电路可以适应更高的要求。 | ||
搜索关键词: | 一种 用于 抑制 电流 漏电 cmos 集成电路 环境 传感器 | ||
【主权项】:
一种用于抑制电流镜漏电流的CMOS集成电路,其特征在于,所述电路包括电流镜放大电路和抑制电流镜漏电流电路,其中电流镜放大电路包括依次电连接的第一电流镜对、第二电流镜对和第三电流镜对,所述第一电流镜对包括沟道类型为第一沟道的两个MOS管,所述第二电流镜对包括沟道类型为第二沟道的两个MOS管,所述第三电流镜对包括沟道类型为第一沟道的两个MOS管;抑制电流镜漏电流电路包括依次电连接的第四电流镜对、第五电流镜对和第六电流镜对,所述第四电流镜对包括沟道类型为第一沟道的两个MOS管,所述第五电流镜对包括沟道类型为第二沟道的两个MOS管,所述第六电流镜对包括沟道类型为第一沟道的两个MOS管;所述各电流镜对均包括第一MOS管和第二MOS管,所述第一MOS管的栅极和第二MOS管栅极相连后与第一MOS管漏极相连作为对应电流镜对的输入;第二MOS管的漏极作为对应电流镜对的输出;第一MOS管的源极和第二MOS管的源极相连后根据沟道类型选择接高电位或低电位;所述第一电流镜对的输入端与光电转换电路输出端相连,输出端与第二电流镜对的输入端相连;所述第三电流镜对的输入端与第二电流镜对的输出端相连,输出端为所述CMOS集成电路的输出端;所述第四电流镜对的输入端悬空,输出端与第五电流镜对的输入端相连;所述第六电流镜对的输入端与第五电流镜对的输出端相连,输出端与第三电流镜对的输入端相连;其中第一沟道与第二沟道的沟道类型相反。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的