[发明专利]复合量子点、量子点固态膜及其应用在审

专利信息
申请号: 201711482034.9 申请日: 2017-12-29
公开(公告)号: CN109994655A 公开(公告)日: 2019-07-09
发明(设计)人: 程陆玲;杨一行 申请(专利权)人: TCL集团股份有限公司
主分类号: H01L51/56 分类号: H01L51/56;H01L51/50;H01L51/54;B82Y30/00
代理公司: 深圳中一专利商标事务所 44237 代理人: 黄志云
地址: 516006 广东省*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明提供了一种复合量子点,所述复合量子点为卤化物阴离子修饰剂修饰的量子点,包括量子点颗粒,以及结合在所述量子点颗粒表面的卤化物阴离子修饰剂,所述卤化物阴离子修饰剂为[AMXm+n+1]n‑,其中,M选自Pb、Cd、Zn、In、Fe、Sb中的一种,X选自Cl、Br、I中的一种,A为CH3NH3,m为M的化合价数,n为所述卤化物阴离子修饰剂的价数,且m为2或3,当m为2时,n为1;当m为3时,n为1或2;所述[AMXm+n+1]n‑具有钙钛矿结构。具有上述特征的所述复合量子点,能够提高量子点的荧光强度,同时降低量子点与量子点之间的激子能量转移。
搜索关键词: 量子点 卤化物阴离子 复合量子点 修饰剂 钙钛矿结构 激子能量 颗粒表面 固态膜 化合价 荧光 修饰 应用
【主权项】:
1.一种复合量子点的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:将卤化物AMXm+1分散在极性溶剂中,得到卤化物阴离子修饰剂,所述卤化物AMXm+1为具有钙钛矿结构的卤化物,所述卤化物阴离子修饰剂为[AMXm+n+1]n‑,其中,M选自Pb、Cd、Zn、In、Fe、Sb中的一种,X选自Cl、Br、I中的一种,A为CH3NH3,m为M的化合价数,n为所述卤化物阴离子修饰剂的价数,且m为2或3,当m为2时,n为1;当m为3时,n为1或2;所述极性溶剂为能够使所述卤化物电离形成卤化物阴离子和卤化物阳离子的有机溶剂;提供表面含有油溶性配体的量子点,将所述量子点与所述卤化物阴离子修饰剂混合处理,所述卤化物阴离子修饰剂与所述量子点表面的配体发生交换反应,制备得到卤化物阴离子修饰剂修饰的量子点。
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