[发明专利]量子点固态膜及其制备方法和应用在审
| 申请号： | 201711481898.9 | 申请日： | 2017-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN109988556A | 公开（公告）日： | 2019-07-09 |
| 发明（设计）人： | 程陆玲;杨一行 | 申请（专利权）人： | TCL集团股份有限公司 |
| 主分类号： | C09K11/02 | 分类号： | C09K11/02;C09K11/66;H01L31/0352 |
| 代理公司： | 深圳中一专利商标事务所 44237 | 代理人： | 黄志云 |
| 地址： | 516006 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种量子点固态膜，所述量子点固态膜中的量子点为卤化物阴离子和卤素离子共钝化的量子点，其中，所述卤化物阴离子修饰在所述量子点表面，所述卤素离子与卤化物阴离子修饰的量子点结合。所述卤化物阴离子对量子点进行修饰后，能够有效较少表面的阳离子空位进而增强表面钝化效果，表面空位的减少能够降低表面捕获态，卤化物钝化后的量子固态膜电荷传导性相应增强。 | ||
| 搜索关键词： | 量子点 卤化物阴离子 固态膜 修饰 卤素离子 钝化 制备方法和应用 表面钝化效果 量子点表面 阳离子空位 表面捕获 电荷传导 卤化物 空位 量子 | ||
【主权项】：
1.一种量子点固态膜，其特征在于，所述量子点固态膜中的量子点为卤化物阴离子和卤素离子共钝化的量子点，其中，所述卤化物阴离子修饰在所述量子点表面，所述卤素离子与卤化物阴离子修饰的量子点结合。
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