[发明专利]一种太赫兹波探测器在审
| 申请号： | 201711454095.4 | 申请日： | 2017-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN108180931A | 公开（公告）日： | 2018-06-19 |
| 发明（设计）人： | 方桐;刘力源;刘剑;吴南健 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | G01D5/48 | 分类号： | G01D5/48;H01L31/113 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种太赫兹波探测器，包括：片上天线、场效应晶体管、空孔阵列，片上天线用于接收太赫兹波信号；场效应晶体管用于探测太赫兹波，所述场效应晶体管的源极用于输入所述片上天线接收到的太赫兹波信号，且在所述片上天线与所述场效应晶体管的源极之间设置有一匹配网络，在所述场效应晶体管的栅极上加载有一偏置电压，且所述场效应晶体管的栅极连接有一陷波滤波器，所述场效应晶体管的漏极用于输出信号；空孔阵列设置于所述片上天线的金属层，其中，任意相邻空孔之间的距离都小于或等于DRC设计规则检查要求的最大金属宽度尺寸。本发明能通过标准CMOS工艺DRC设计规则检查，在进行DRC设计规则检查时不会报错。 | ||
| 搜索关键词： | 场效应晶体管 片上天线 设计规则检查 太赫兹波 空孔 太赫兹波探测器 源极 标准CMOS工艺 陷波滤波器 匹配网络 输出信号 栅极连接 阵列设置 金属层 漏极 探测 金属 | ||
【主权项】：
1.一种太赫兹波探测器，其包括：片上天线，用于接收太赫兹波信号；场效应晶体管，用于探测太赫兹波，所述场效应晶体管的源极用于输入所述片上天线接收到的太赫兹波信号，且在所述片上天线与所述场效应晶体管的源极之间设置有一匹配网络，在所述场效应晶体管的栅极上加载有一偏置电压，且所述场效应晶体管的栅极连接有一陷波滤波器，所述场效应晶体管的漏极用于输出信号；空孔阵列，设置于所述片上天线的金属层，其中，任意相邻空孔之间的距离都小于或等于DRC设计规则检查要求的最大金属宽度尺寸。
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