[发明专利]包括无源磁电式换能器结构的半导体器件有效
| 申请号： | 201711407051.6 | 申请日： | 2017-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN108231997B | 公开（公告）日： | 2020-12-29 |
| 发明（设计）人： | J-W·博森斯;J·比尔保德门迪萨巴尔 | 申请（专利权）人： | 迈来芯保加利亚有限公司 |
| 主分类号： | H01L41/12 | 分类号： | H01L41/12;H01L41/25 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 李炜;黄嵩泉 |
| 地址： | 保加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本申请公开了包括无源磁电式换能器结构的半导体器件。一种半导体器件包括：无源磁电式换能器结构(ME1)，被适配用于通过由磁场引起的机械应力来产生电荷。所述第一换能器结构(ME1)具有可电连接至电开关(SW1)的控制端子(23)的第一端子(10)，并且具有可电连接至所述电开关(SW1)的第一端子(21)的第二端子(12)，以便提供用于断开/闭合所述开关(SW1)的控制信号。所述开关可以是FET。一种无源磁性开关使用磁电式换能器结构。无源磁电式换能器结构(ME1)用于在不需要外部电源的情况下断开或闭合开关的用途。 | ||
| 搜索关键词： | 包括 无源 磁电 式换能器 结构 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：‑无源磁电式换能器结构(ME1)，被适配用于通过由磁场引起的机械应力来产生电荷。
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