[发明专利]焊带用反光组件的制备方法有效
| 申请号： | 201711405100.2 | 申请日： | 2017-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN108242476B | 公开（公告）日： | 2020-03-17 |
| 发明（设计）人： | 茹正伟;周乐;熊唯诚;盛鹤祺 | 申请（专利权）人： | 常州百佳年代薄膜科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/05 | 分类号： | H01L31/05;H01L31/054;H01L31/18 |
| 代理公司： | 杭州聚邦知识产权代理有限公司 33269 | 代理人： | 李磊 |
| 地址： | 213000 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种焊带用反光组件的制备方法，其中，本焊带用反光组件包括：基材和反光层；其中所述反光层位于基材上，且适于对任意角度的光线形成回归反射；在焊带用反光组件基础上本发明的光伏电池组件其通过背板、第一EVA层、电池片（含玻璃微珠的反光焊带）、第二EVA层、玻璃进行热层压，制备形成；其中含玻璃微珠的反光焊带的引入减少了传统焊带对光伏组件的输出功率的影响，同时玻璃微珠与第二EVA层经过层压结合后可对光线透过有增益效果，降低成本。 | ||
| 搜索关键词： | 焊带用 反光 组件 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种焊带用反光组件，其特征在于，包括：基材和反光层；其中所述反光层位于基材上，且适于对任意角度的光线形成回归反射。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
