[发明专利]一种大蒜脱毒组织培养方法

摘要

本发明公开了一种大蒜脱毒组织培养方法，包括如下步骤：（1）选材：选取无腐无病害、健壮苍山大蒜；（2）剥去大蒜膜质外皮，取每个叶腋内由腋芽膨胀而形成的蒜瓣进行表面处理、消毒（3）茎尖剥离；（4）茎尖培养：将外植体接种至茎尖培养基上进行培养；（5）增殖培养；（6）继代培养；（7）生根培养；（8）驯化炼苗。本发明的有益效果是：大蒜通过组织培养，克服了常年无性繁殖而极易出现的细菌、真菌和病毒积累等缺陷，大幅度提高了大蒜质量和品质，扩大了大蒜的种植规模，提高了大蒜产品的国际市场竞争优势；通过多次茎尖剥离、增殖继代培养，在短时间内获取大量的试管苗，具有较高的繁殖系数，大大降低生产成本。

主权项

1.一种大蒜脱毒组织培养方法，其特征在于：包括如下步骤，（1）选材：选取无腐无病害、健壮苍山大蒜，每头苍山大蒜含有4~6个蒜瓣；（2）表面处理、消毒：剥去大蒜膜质外皮，取每个叶腋内由腋芽膨胀而形成的蒜瓣，采用浓度为0.5~1.5%的吐温-80水溶液清洗10~20min，流水冲洗干净转至无菌操作台，在无菌条件下采用75%酒精消毒10~20min，然后用0.1~1%HaCl溶液消毒25~40min，用无菌水冲洗4~6遍；（3）茎尖剥离：在无菌条件下，剥去蒜瓣肉质鳞片及稍大的叶片，取茎尖0.1~0.5mm做外植体；（4）茎尖培养：将步骤（3）中外植体接种至茎尖培养基上进行培养，首先进行5~10天暗培养，后转移至温度25~26℃、每天光照7~10h、光照强度为2000~3000Lux的培养条件下，培养50~60d；（5） 增殖培养：选取步骤（4）中得到的无菌苗将其接种到增殖培养基上进行增殖培养，培养条件为：温度25~30℃、每天光照12~16h、光照强度为3000~5000Lux、培养20~25d；（6）继代培养：选取步骤（5）中得到的无菌苗将其接种到继代培养基上进行继代培养，培养条件为：温度25~30℃、每天光照14~16h、光照强度为5000~7000Lux、培养20~25d；（7）生根：选取长势健壮的株高4~5cm的大蒜苗，将其接种至生根培养基中，放置于温度25~30℃、每天光照12h、光照强度为5000~7000Lux的环境中，培养20d，经过培养的大蒜苗根系发达，满足出苗要求；（8）驯化炼苗：将步骤（7）得到的根系发达，株高7~8cm的大蒜苗转移到小温棚中进行驯化，遮荫，保持小温棚中温度为25~26℃，7天后逐渐递减至18~20℃，7~15天后将大蒜苗从组织培养基中去除，将根部的培养基清洗干净，种植到基质土中；其中：茎尖培养基为WPM培养基中添加0.5mg/LIBA、0.1mg/LGA3、0.5mg/L活性炭、30%蔗糖和4.5g/L琼脂；增殖培养基为WPM培养基中添加0.05mg/LGA3、0.5mg/LKT、0.05mg/LNAA、1g/L活性炭、30%蔗糖和4.5g/L琼脂；继代培养基为WPM培养基中添加0.2mg/LNAA、1.0mg/LKT、0.01mg/LGA3、1g/L活性炭、30%蔗糖和4.5g/L琼脂；生根培养基为WPM培养基中添加0.2mg/LGA3、0.5mg/LNAA、25%蔗糖和4.5g/L琼脂。