[发明专利]压力传感器及制造方法

摘要

本发明实施例提供的压力传感器及制造方法包括衬底、所述衬底的表面开设有四个闭环沟槽，所述四个闭环沟槽中的每个闭环沟槽均设置有P型半导体以及阻隔层，所述阻隔层围绕所述P型半导体设置，以通过所述阻隔层阻止所述P型半导体的横向扩散。通过在P型半导体材料的周围设置阻隔层的方式可以有效阻止P型半导体的横向扩散，从而使得本发明实施例提供的压力传感器可以在保持PN结结深较深的同时没有较多的横向扩散，实现PN结结深较深的同时，器件面积也较小。 1

主权项

1.一种压力传感器，其特征在于，所述压力传感器包括：衬底、所述衬底的表面开设有四个闭环沟槽，所述四个闭环沟槽中的每个闭环沟槽均设置有P型半导体以及阻隔层，所述阻隔层围绕所述P型半导体设置，以通过所述阻隔层阻止所述P型半导体的横向扩散。

2.根据权利要求1所述的压力传感器，其特征在于：所述四个闭环沟槽包括第一闭环沟槽、第二闭环沟槽、第三闭环沟槽以及第四闭环沟槽，所述P型半导体包括第一P型半导体、第二P型半导体、第三P型半导体以及第四P型半导体，所述阻隔层包括第一阻隔层、第二阻隔层、第三阻隔层以及第四阻隔层；

所述第一闭环沟槽的侧壁设置有所述第一阻隔层，所述第一阻隔层包围所述第一P型半导体；

所述第二闭环沟槽的侧壁设置有所述第二阻隔层，所述第二阻隔层包围所述第二P型半导体；

所述第三闭环沟槽的侧壁设置有所述第三阻隔层，所述第三阻隔层包围所述第三P型半导体；

所述第四闭环沟槽的侧壁设置有所述第四阻隔层，所述第四阻隔层包围所述第四P型半导体。

3.根据权利要求2所述的压力传感器，其特征在于：所述第一闭环沟槽、第二闭环沟槽、第三闭环沟槽以及第四闭环沟槽均为矩形闭环沟槽。

4.根据权利要求3所述的压力传感器，其特征在于：所述第一闭环沟槽与所述第三闭环沟槽平行设置于所述衬底，所述第二闭环沟槽与所述第四闭环沟槽平行设置于所述衬底，所述第一闭环沟槽与所述第二闭环沟槽相垂直。

5.根据权利要求1所述的压力传感器，其特征在于：还包括第一氧化层以及第二氧化层，所述阻隔层与所述衬底之间设置有所述第一氧化层，所述阻隔层与所述P型半导体之间设置有第二氧化层。

6.根据权利要求1所述的压力传感器，其特征在于：所述阻隔层为多晶硅阻隔层。

7.根据权利要求1所述的压力传感器，其特征在于：还包括顶层P型半导体，所述顶层P型半导体设置于所述P型半导体的远离所述衬底的一侧的两端。

8.根据权利要求7所述的压力传感器，其特征在于：所述顶层P型半导体的掺杂浓度高于所述P型半导体的掺杂浓度。

9.一种压力传感器制造方法，其特征在于，所述方法包括：

在硅衬底形成四个P型桥臂电阻；

其中，四个P型桥臂电阻中的每个P型桥臂电阻的形成方式如下：

在所述硅衬底的表面形成第一子闭环沟槽与第二子闭环沟槽；

在所述第一子闭环沟槽的表面与第二子闭环沟槽的表面形成氧化层；

以多晶硅材料填充所述第一子闭环沟槽与第二子闭环沟槽；

在所述第一子闭环沟槽与第二子闭环沟槽包围的区域通过离子注入和扩散形成第一P型半导体材料。

10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，在所述第一子闭环沟槽与第二子闭环沟槽包围的区域通过离子注入和扩散形成第一P型半导体材料之后，所述方法还包括：

在所述第一P型半导体材料的表面的两端通过离子注入和扩散形成第二P型半导体材料。