[发明专利]钴离子诱导花状钴锰氧化物的制备及其产品和应用有效
| 申请号： | 201711384800.8 | 申请日： | 2017-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN108083347B | 公开（公告）日： | 2020-12-29 |
| 发明（设计）人： | 何丹农;赵昆峰;代卫国;童琴;邓洁;金彩虹 | 申请（专利权）人： | 上海纳米技术及应用国家工程研究中心有限公司 |
| 主分类号： | C01G51/00 | 分类号： | C01G51/00;B01J20/06;B01J23/889;B01J35/02;C02F1/28;C02F1/78;C02F101/34 |
| 代理公司： | 上海东亚专利商标代理有限公司 31208 | 代理人： | 董梅 |
| 地址： | 200241 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开一种钴离子诱导花状钴锰氧化物的制备及其产品和应用，以高锰酸钾为锰源，硝酸钴为钴源，二价钴离子为结构导向剂，水热条件下诱导合成花状钴锰氧化物。该方法制备的花状钴锰氧化物富含氧空位，有利于引发臭氧催化过程中强氧化羟基自由基的产生。花状钴锰氧化物的多级孔结构，有利于吸附水中有机污染物，并将其在表面催化降解，进一步提高催化剂的臭氧催化活性。该催化剂在草酸模拟废水臭氧催化过程中，具有很好的催化氧化活性。本发明催化剂工艺简单，催化性能优异，具有极好的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 离子 诱导 花状钴锰 氧化物 制备 及其 产品 应用 | ||
【主权项】：
1.一种钴离子诱导花状钴锰氧化物的制备方法，其特征在于：以高锰酸钾为锰源，硝酸钴为钴源，二价钴离子为结构导向剂，水热条件下诱导合成花状钴锰氧化物；其中，所述高锰酸钾与硝酸钴的质量比为1:1–1:1.5；所述高锰酸钾，其溶液浓度为30–60g/L；所述硝酸钴，其溶液浓度为40–90g/L；所述水热条件为，100-150℃水热反应18-30小时，制得钴离子诱导花状钴锰氧化物。
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