[发明专利]转置头及转置装置有效
申请号: | 201711384648.3 | 申请日: | 2017-12-20 |
公开(公告)号: | CN108155141B | 公开(公告)日: | 2020-06-02 |
发明(设计)人: | 蓝伊奋;吴宗典 | 申请(专利权)人: | 友达光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;H01L33/00 |
代理公司: | 北京市立康律师事务所 11805 | 代理人: | 梁挥;孟超 |
地址: | 中国台湾新竹科*** | 国省代码: | 台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种转置头及转置装置,转置头包括基板、第一电极、第二电极、驱动电路以及弹性体。基板具有一顶表面。第一电极配置于基板上。第二电极配置于基板上且与第一电极结构上分离。驱动电路配置于基板上且电性连接于第一电极及第二电极。弹性体配置于基板上且覆盖第一电极及第二电极,其中第一电极与第二电极中的至少一者具有一最顶点,最顶点与基板的顶表面之间的距离为A,弹性体具有一转置面,转置面与基板的顶表面之间的距离为B,且1>A/B≥0.1。 | ||
搜索关键词: | 转置头 装置 | ||
【主权项】:
一种转置头,其特征在于,包括:一基板,具有一顶表面;一第一电极,配置于该基板上;一第二电极,配置于该基板上且与该第一电极结构上分离;一驱动电路,配置于该基板上且电性连接于该第一电极及该第二电极;以及一弹性体,配置于该基板上且覆盖该第一电极及该第二电极,其中该第一电极与该第二电极中的至少一者具有一最顶点,该最顶点与该基板的该顶表面之间的距离为A,该弹性体具有一转置面,该转置面与该基板的该顶表面之间的距离为B,且1>A/B≥0.1。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于友达光电股份有限公司,未经友达光电股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201711384648.3/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造