[发明专利]基于GaN材料的垂直结构双色LED芯片在审
| 申请号： | 201711382636.7 | 申请日： | 2017-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN108110114A | 公开（公告）日： | 2018-06-01 |
| 发明（设计）人： | 冉文方 | 申请（专利权）人： | 西安智盛锐芯半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/32 | 分类号： | H01L33/32;H01L33/50;H01L33/64 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 | 代理人： | 黄晶晶 |
| 地址： | 710075 陕西省西安市*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种基于GaN材料的垂直结构双色LED芯片10，包括：导电衬底11、反光层12、蓝光外延层13、黄光外延层14、隔离层15、电极16及钝化层17；其中，所述反光层12设置于所述导电衬底11上；所述蓝光外延层13、所述黄光外延层14及所述隔离层15均设置于所述反光层12上；所述电极16分别设置于所述蓝光外延层13与所述黄光外延层14上；所述钝化层17覆盖与所述蓝光外延层13、所述黄光外延层14及所述隔离层15上。本发明提供的基于GaN材料的垂直结构双色LED芯片，在单芯片上能产生多种颜色的光，从而减少了后期封装时荧光粉的用量。 | ||
| 搜索关键词： | 外延层 黄光 蓝光 垂直结构 双色LED 反光层 隔离层 电极 芯片 钝化层 导电 衬底 荧光粉 单芯片 封装 覆盖 | ||
【主权项】：
1.一种基于GaN材料的垂直结构双色LED芯片(10)，其特征在于，包括：导电衬底(11)、反光层(12)、蓝光外延层(13)、黄光外延层(14)、隔离层(15)、电极(16)及钝化层(17)；其中，所述反光层(12)设置于所述导电衬底(11)上；所述蓝光外延层(13)、所述黄光外延层(14)及所述隔离层(15)均设置于所述反光层(12)上且所述隔离层(15)位于所述蓝光外延层(13)与所述黄光外延层(14)之间；所述电极(16)分别设置于所述蓝光外延层(13)与所述黄光外延层(14)上；所述钝化层(17)覆盖于所述蓝光外延层(13)、所述黄光外延层(14)及所述隔离层(15)上。
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