[发明专利]量子点发光二极管及其制备方法和应用有效
| 申请号： | 201711375252.2 | 申请日： | 2017-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN109935725B | 公开（公告）日： | 2020-08-14 |
| 发明（设计）人： | 曹蔚然;杨一行;向超宇;钱磊;梁柱荣 | 申请（专利权）人： | TCL科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/50 | 分类号： | H01L51/50;H01L51/56 |
| 代理公司： | 深圳中一联合知识产权代理有限公司 44414 | 代理人： | 李艳丽 |
| 地址： | 516006 广东省惠州市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种量子点发光二极管及其制备方法和应用。本发明量子点发光二极管包括阳极层和阴极层以及层叠结合在所述阳极层和阴极层之间的发光功能层，其特征在于：所述发光功能层包括层叠结合的N层发光薄膜，且第1层至第N‑1层发光薄膜为量子点发光薄膜，第N层发光薄膜为量子点发光薄膜或有机发光薄膜，所述N为2≤N≤10的正整数。本发明量子点发光二极管能够保证每一发光层的发光颜色稳定，而且通过多层原色发光层进行发光，从而实现稳定的复色光。其制备方法保证了制备的量子点发光二极管的性能稳定。 | ||
| 搜索关键词： | 量子 发光二极管 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
1.一种量子点发光二极管，包括阳极层和阴极层以及层叠结合在所述阳极层和阴极层之间的发光功能层，其特征在于：所述发光功能层包括层叠结合的N层发光薄膜，且第1层至第N‑1层发光薄膜为量子点发光薄膜，第N层发光薄膜为量子点发光薄膜或有机发光薄膜，所述N为2≤N≤10的正整数。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
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