[发明专利]白光量子点发光二极管及其制备方法

摘要

本发明涉及一种白光量子点发光二极管及其制备方法，包括：提供底电极；在底电极上制备量子点预制薄膜，该量子点预制薄膜中的量子点表面连接有初始配体；将量子点预制薄膜置于可密闭装置中，通入气态的置换配体进行气相配体置换，得到量子点表面结合置换配体的第一层量子点薄膜，该置换配体可连接至少两个量子点；采用第一层量子点薄膜的制备方法制得N层层叠的量子点薄膜，得到发光叠层；或采用第一层量子点薄膜的制备方法制得N‑1层层叠的量子点薄膜，在第N‑1层量子点薄膜上制备一有机发光薄膜，得到发光叠层；其中，N为正整数，2≤N≤10；且发光叠层复合发白光；其中，底电极为阳极，顶电极为阴极；或底电极为阴极，顶电极为阳极。

主权项

1.一种白光量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：提供底电极；在所述底电极上制备量子点预制薄膜，所述量子点预制薄膜中的量子点表面连接有初始配体；将所述量子点预制薄膜置于可密闭装置中，通入气态的置换配体，进行气相配体置换，得到量子点表面结合所述置换配体的第一层量子点薄膜，所述置换配体可连接至少两个量子点；采用所述第一层量子点薄膜的制备方法制得N层层叠的量子点薄膜，得到发光叠层；或采用所述第一层量子点薄膜的制备方法制得N‑1层层叠的量子点薄膜，在第N‑1层量子点薄膜上制备一有机发光薄膜，得到发光叠层；其中，N为正整数，2≤N≤10；且所述发光叠层复合发白光；在所述发光叠层上制备顶电极；其中，所述底电极为阳极，所述顶电极为阴极；或所述底电极为阴极，所述顶电极为阳极。