[发明专利]防静电膜及防静电膜的制备方法在审
| 申请号： | 201711330241.2 | 申请日： | 2017-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN107986638A | 公开（公告）日： | 2018-05-04 |
| 发明（设计）人： | 张迅;易伟华;郑芳平 | 申请（专利权）人： | 江西沃格光电股份有限公司 |
| 主分类号： | C03C17/34 | 分类号： | C03C17/34;C08J7/06;C08L23/12;C08L23/06;C08L27/18;C08L33/12 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司44224 | 代理人： | 生启 |
| 地址： | 338004 江西省新余*** | 国省代码： | 江西;36 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种防静电膜及防静电膜的制备方法。一种防静电膜，包括基板；透光层，所述透光层包括层叠于所述基板表面的五氧化二铌层及层叠于所述五氧化二铌远离所述基板表面的二氧化硅层；防静电层，所述防静电层层叠于所述二氧化硅层远离所述五氧化二铌层的表面，所述防静电层为ITO层；及防腐蚀层，所述防腐蚀层层叠于所述放静电层远离所述二氧化硅层的表面，所述防腐蚀层为ATO层。上述防静电膜及防静电膜的制备方法，在TFT玻璃中，能够避免玻璃表面的氟硅酸盐物质对ITO层造成侵蚀，同时在ITO层上层叠ATO层，能避免ITO层被空气中的潮湿和酸碱物质侵蚀；且五氧化二铌层和二氧化硅层能组成光学高透膜，有效提高防静电膜的透射率。 | ||
| 搜索关键词： | 静电 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种防静电膜，其特征在于，包括：基板；透光层，所述透光层包括层叠于所述基板表面的五氧化二铌层及层叠于所述五氧化二铌远离所述基板表面的二氧化硅层；防静电层，所述防静电层层叠于所述二氧化硅层远离所述五氧化二铌层的表面，所述防静电层为ITO层；及防腐蚀层，所述防腐蚀层层叠于所述放静电层远离所述二氧化硅层的表面，所述防腐蚀层为ATO层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于江西沃格光电股份有限公司，未经江西沃格光电股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201711330241.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种原位结晶的锡掺杂氧化铟纳米晶薄膜的制备方法
- 下一篇：一种绿化种植墙
