[发明专利]晶体管器件、制造晶体管器件的方法及集成电路在审
| 申请号： | 201711329376.7 | 申请日： | 2017-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN109920913A | 公开（公告）日： | 2019-06-21 |
| 发明（设计）人： | 许海涛 | 申请（专利权）人： | 北京华碳元芯电子科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L51/05 | 分类号： | H01L51/05;H01L51/10;H01L51/30;H01L51/40;H01L27/28 |
| 代理公司： | 北京鼎承知识产权代理有限公司 11551 | 代理人： | 孟奎;李伟波 |
| 地址： | 101300 北京市顺*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 提供了一种晶体管器件、制造晶体管器件的方法以及集成电路。该晶体管器件包括：玻璃基底；碳纳米管薄膜图案，位于玻璃基底上；源电极和漏电极，分别与碳纳米管薄膜图案电连接；栅电极，栅电极与碳纳米管薄膜图案在玻璃基底上的投影相重叠；以及介电层，位于栅电极与碳纳米管薄膜图案之间，栅电极通过介电层与碳纳米管图案电绝缘。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体管器件 碳纳米管薄膜 栅电极 图案 玻璃基 介电层 集成电路 碳纳米管 电绝缘 电连接 漏电极 源电极 投影 制造 | ||
【主权项】：
1.晶体管器件，包括：玻璃基底；碳纳米管薄膜图案，位于所述玻璃基底上；源电极和漏电极，分别与所述碳纳米管薄膜图案电连接；栅电极，所述栅电极与所述碳纳米管薄膜图案在所述玻璃基底上的投影相重叠；以及介电层，位于所述栅电极与所述碳纳米管薄膜图案之间，所述栅电极通过所述介电层与所述碳纳米管图案电绝缘。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
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