[发明专利]铝酸铍晶体的坩埚下降法生长方法

摘要

本发明属于单晶生长技术领域，公开了一种采用坩埚下降法生长铝酸铍晶体的方法。将原料Al2O3和BeO按照化学计量比称料，混合均匀、压块；在1200～1350℃炉温下预烧结8～12小时，经固相反应合成铝酸铍多晶组分。将取向确定的铝酸铍籽晶放在坩埚底部的籽晶槽中，再装入合成好的多晶组分，旋紧坩埚盖，然后将坩埚置于下降法晶体生长炉中；抽真空，待真空度达到1×10‑3Pa时，充入高纯Ar作为保护气氛；升温，在1870～1950℃熔化多晶原料及籽晶顶部，生长界面温度梯度控制在10～40℃/cm，坩埚下降速度控制在0.5～10mm/h。本发明中铝酸铍晶体的外形和尺寸容易控制，避免了熔体中氧化铍的挥发对环境的污染，并且可采用多坩埚同时生长铝酸铍晶体，生长效率高，有利于工业化生产。

主权项

1.铝酸铍晶体的坩埚下降法生长方法，其特征在于：该方法包括如下步骤：①初始原料Al2O3和BeO按照化学计量比Al2O3：BeO＝1:1称料，混合均匀并压结成粉块；②所述的粉块在1200～1350℃炉温下预烧结8～12小时，经固相反应合成铝酸铍多晶组分；③将固定取向的铝酸铍籽晶放入坩埚底部籽晶槽，然后将步骤②合成的铝酸铍多晶组分放入坩埚，并旋紧坩埚盖密封坩埚；④将坩埚置于下降法生长炉中，抽真空，待真空度达到至少1×10-3Pa时，充入高纯Ar作为保护气氛；⑤升温使炉温控制在1870～1950℃，接种、生长，生长界面温度梯度控制在10～40℃/cm，坩埚下降速度控制在0.5～10mm/h。