[发明专利]一种基于碳硅融合技术的加解密芯片有效
| 申请号： | 201711304072.5 | 申请日： | 2017-12-11 |
| 公开（公告）号： | CN108038394B | 公开（公告）日： | 2021-04-30 |
| 发明（设计）人： | 程旭;韩晓磊;陆俊林;李群;李宁 | 申请（专利权）人： | 北京北大众志微系统科技有限责任公司 |
| 主分类号： | G06F21/72 | 分类号： | G06F21/72;H01L23/00 |
| 代理公司： | 北京科迪生专利代理有限责任公司 11251 | 代理人： | 杨学明;顾炜 |
| 地址： | 100080 北京市海淀区中关*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种基于碳硅融合技术的加解密芯片，包括硅基晶体管加解密算法电路和碳纳米晶体管密钥注入存储电路。其中，所述的硅基晶体管加解密算法电路是以硅为衬底的硅基集成电路，所述的碳纳米晶体管密钥注入存储电路叠加在硅基集成电路上。本发明提供的基于碳硅融合技术的加解密芯片，在硅基集成电路上二次集成碳纳米晶体管电路，通过碳纳米管电路实现加解密芯片密钥的注入存储；进一步的，利用碳纳米晶体管的特性，增加密钥破解难度，同时可实现密钥存储电路的自毁，提升加解密芯片的安全性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 融合 技术 解密 芯片 | ||
【主权项】：
1.一种基于碳硅融合技术的加解密芯片，其特征在于：包括硅基晶体管加解密算法电路以及碳纳米晶体管密钥注入存储电路，其中，所述的硅基晶体管加解密算法电路是以硅为衬底的硅基集成电路；所述的碳纳米晶体管密钥注入存储电路设置在碳纳米晶体管集成电路中，注入存储不同的密钥；所述的碳纳米晶体管集成电路叠加在硅基集成电路上，进行二次集成。
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