[发明专利]锡化合物及其合成方法、用于原子层沉积的锡前体化合物及形成含锡材料膜的方法在审
| 申请号： | 201711247397.4 | 申请日： | 2017-12-01 |
| 公开（公告）号： | CN108149222A | 公开（公告）日： | 2018-06-12 |
| 发明（设计）人： | 柳承旻;金润洙;林载顺;曹仑廷;金铭云;李相益;全相勇;李刚镛 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社;DNF有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/455 | 分类号： | C23C16/455;C23C16/18;C07F7/22 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 刘培培;黄隶凡 |
| 地址： | 韩国京畿道水*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： |
本发明提供一种锡化合物、用于原子层沉积(ALD)的锡前体化合物、形成含锡材料膜的方法、及合成锡化合物的方法，所述锡化合物是由化学式(I)表示：<化学式(I)> |
||
| 搜索关键词： | 锡化合物 原子层沉积 含锡材料 锡前体 合成 热稳定性 支链烷基 直链烷基 | ||
【主权项】：
一种锡化合物，其由化学式(I)表示：<化学式(I)>![]()
其中R1、R2、Q1、Q2、Q3、及Q4分别独立地为C1至C4直链烷基或支链烷基。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
