[发明专利]一种水蒸气氧化退火系统有效
| 申请号： | 201711236439.4 | 申请日： | 2017-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN108022863B | 公开（公告）日： | 2020-07-28 |
| 发明（设计）人： | 李喜峰;姜姝;杨祥;陈龙龙;张建华 | 申请（专利权）人： | 上海大学 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京高沃律师事务所 11569 | 代理人： | 王戈 |
| 地址： | 200444*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开一种水蒸气氧化退火系统。所述退火系统包括：退火装置、水蒸气发生装置、水氧检测仪、比例阀、控制器和气体导管，其中，所述水蒸气发生装置与所述退火装置通过所述气体导管连接，所述比例阀设置在所述气体导管上；所述水氧检测仪设置在所述退火装置中且与所述控制器连接，所述水氧检测仪用于检测所述退火装置中的水氧率数据；所述控制器与所述比例阀的控制端连接，所述控制器用于根据所述水氧率数据发出开度控制信号，所述比例阀根据所述开度控制信号控制流过所述比例阀的气体量。本发明提供的退火系统能够使水蒸气氧化退火处理过程中的水氧率保持恒定，从而提高有源层薄膜和绝缘层薄膜的质量，进一步提升薄膜晶体管的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 水蒸气 氧化 退火 系统 | ||
【主权项】：
1.一种水蒸气氧化退火系统，其特征在于，所述退火系统包括：退火装置、水蒸气发生装置、水氧检测仪、比例阀、控制器和气体导管，其中，所述水蒸气发生装置与所述退火装置通过所述气体导管连接，所述比例阀设置在所述气体导管上；所述水氧检测仪设置在所述退火装置中且与所述控制器连接，所述水氧检测仪用于检测所述退火装置中的水氧率数据；所述控制器与所述比例阀的控制端连接，所述控制器用于根据所述水氧率数据发出开度控制信号，所述比例阀根据所述开度控制信号控制流过所述比例阀的气体量。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
