[发明专利]一种简易插层剥离获得二硫化钼纳米片的方法有效
| 申请号： | 201711233956.6 | 申请日： | 2017-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN107720825B | 公开（公告）日： | 2019-02-19 |
| 发明（设计）人： | 田正山;曹可生;白素贞;理记涛 | 申请（专利权）人： | 平顶山学院 |
| 主分类号： | C01G39/06 | 分类号： | C01G39/06;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 郑州金成知识产权事务所(普通合伙) 41121 | 代理人： | 郭增欣 |
| 地址： | 467000 河*** | 国省代码： | 河南;41 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种二硫化钼纳米片简易插层剥离方法。一种简易插层剥离获得二硫化钼纳米片的方法，采用颗粒尺寸大小为微米级的高纯二硫化钼为原料，1）以氯化镁和硫化钠为插层剂，将二硫化钼、氯化镁和硫化钠与去离子水按照50～100：1：0.5～1：600的质量比例混合，搅拌，得到一种分散体系；2）将步骤1）制备的分散体系置于高压反应釜中加热至180～200℃，进行插层处理，插层处理持续时间为3～6h；3）将步骤2）得到的分散体系冷却至室温，然后采用超声处理进行剥离，超声剥离持续时间30～60min；4）将步骤3）得到的分散体系离心分离，然后用去离子水洗涤，真空干燥后获得二硫化钼纳米片粉末。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 简易 剥离 获得 二硫化钼 纳米 方法 | ||
【主权项】：
1.一种简易插层剥离获得二硫化钼纳米片的方法，采用颗粒尺寸大小为微米级的高纯二硫化钼为原料，其特征在于，该制备方法包括如下步骤：1）以氯化镁和硫化钠为插层剂，将二硫化钼、氯化镁和硫化钠与去离子水按照50～100：1：0.5～1：600的质量比例混合，搅拌，得到一种分散体系；2）将步骤1）制备的分散体系置于高压反应釜中加热至180～200℃，进行插层处理，插层处理持续时间为3～6h；3）将步骤2）得到的分散体系冷却至室温，取插层处理后得到的分散体系50mL置于烧杯中，加100～150mL去离子水，再将烧杯置于KQ‑500B型超声波清洗器中超声处理，超声剥离持续时间30～60min，获得较为均匀的单层或者少数层的二硫化钼纳米片分散体系；4）将步骤3）得到的分散体系离心分离，然后用去离子水洗涤，真空干燥后获得二硫化钼纳米片粉末。
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