[发明专利]基于局部周期性沟道结构太赫兹偏振输出器在审
申请号: | 201711232401.X | 申请日: | 2017-11-28 |
公开(公告)号: | CN107861190A | 公开(公告)日: | 2018-03-30 |
发明(设计)人: | 李九生 | 申请(专利权)人: | 中国计量大学 |
主分类号: | G02B6/126 | 分类号: | G02B6/126;G02B6/122;G02B6/124 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 310018 浙江*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本发明公开了一种基于局部周期性沟道结构太赫兹偏振输出器,它包括信号输入端、第一和第二信号输出端、基底硅层、二氧化硅层、双面锥形波导、左侧单面锥形波导、左侧直臂S形波导、右侧单面锥形波导、右侧直臂S形波导。TE与TM偏振波从双面锥形波导周期性沟道结构上方的信号输入端以一定角度输入,进入双面锥形波导,经过双面锥形波导上的周期性沟道作用,最后TE和TM偏振波分别从双面锥形波导右侧第一信号输出端和左侧第二信号输出端输出,从而控制TE偏振波与TM偏振波的传输方向,因此可以实现局部周期性沟道结构的太赫兹偏振器。本发明具有结构紧凑,响应速度快,损耗小,偏振输出特性好等优点,满足在太赫兹波成像、通信等领域应用需求。 | ||
搜索关键词: | 基于 局部 周期性 沟道 结构 赫兹 偏振 输出 | ||
【主权项】:
一种基于局部周期性沟道结构太赫兹偏振输出器,它包括信号输入端(1)、第一信号输出端(2)、第二信号输出端(3)、基底硅层(9)、二氧化硅层(10)、双面锥形波导(6)、左侧单面锥形波导(5)、左侧直臂S形波导(7)、右侧单面锥形波导(4)、右侧直臂S形波导(8);双面锥形波导(6)通过左侧直臂S形波导(5)和右侧直臂S形波导(8)分别与与左侧单面锥形波导(5)和右侧单面锥形波导(4)相连接;左侧直臂S形波导(5)和右侧直臂S形波导(8)由中部矩形波导和两端几何形状大小相同的弧形波导组成。TE偏振波与TM偏振波从双面锥形波导(6)周期性沟道结构上方的信号输入端以一定角度输入,进入双面锥形波导(6),经过双面锥形波导(6)上的周期性沟道作用,最后TE偏振波从双面锥形波导(6)的右侧的第一信号输出端(2)输出,TM偏振波从双面锥形波导(6)的左侧的第二信号输出端(3)输出,从而控制TE偏振波与TM偏振波的传输方向,因此可以实现周期性沟道结构的偏振器。
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