[发明专利]一种钕铁硼磁体的制备方法

摘要

本发明提供一种钕铁硼磁体的制备方法，包括将厚度为8～12mm的基础钕铁硼磁体经稀无机酸溶液处理后进行干燥；将扩散合金片附着在干燥后的基础钕铁硼磁体的上下表面，然后放在热压炉中，对热压炉抽真空，在真空状态下进行升温至700～800℃时，开始施加压力20～30MPa，并保压7～10h，然后泄压至常压、重新抽真空，继续升温至850～950℃，保温1～2h；将扩散后的试样在真空炉中先后于不同的温度进行退火处理；其中所述扩散合金片为R1‑R2‑TM，其中R1为Pr或Nd，R2为Dy或Tb，TM为Cu、Al、Zn或Fe中的任意一种。本发明能生产出磁体矫顽力、剩磁且样品厚度均令人满意的钕铁硼磁体。

主权项

1.一种钕铁硼磁体的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1：将商业钕铁硼磁体沿取向力方向加工成8～12mm厚，得基础钕铁硼磁体，然后将基础钕铁硼磁体浸泡在体积浓度为3～5％的盐酸溶液或体积浓度为3～5％的硝酸溶液中5～20min后再于120～140℃环境中干燥20～120min；步骤2：将扩散合金片附着在步骤1处理后的基础钕铁硼磁体的上下表面，然后放在热压炉中，对热压炉抽真空，待真空度达到1×10-2Pa以下，对热压炉升温，当温度达到700～800℃时，开始施加压力20～30MPa，并保压7～10h，然后泄压至常压，接着又重新热压炉抽真空，待真空度达到1×10-2Pa以下，继续升温至850～950℃，保温1～2h；步骤3：将步骤2扩散后的试样在真空炉中于500～600℃条件下进行退火处理，再于400～450℃条件下进行退火处理，得目标产物；其中所述扩散合金片为低熔点扩散合金R1-R2-TM，其中R1为Pr或Nd，R2为Dy或Tb，TM为Cu、Al、Zn或Fe中的任意一种。