[发明专利]一种气体阻隔膜及其应用在审
申请号: | 201711218378.9 | 申请日: | 2017-11-28 |
公开(公告)号: | CN108164734A | 公开(公告)日: | 2018-06-15 |
发明(设计)人: | 刘墨宁;宣玉凤;赵伟涛;刘晓昊;王群;宋鑫;李丽;霍弘 | 申请(专利权)人: | 中国乐凯集团有限公司 |
主分类号: | C08J7/06 | 分类号: | C08J7/06;C23C16/513;C23C16/30;B65D65/40;C08L67/02 |
代理公司: | 石家庄冀科专利商标事务所有限公司 13108 | 代理人: | 李羡民;郭绍华 |
地址: | 071054 *** | 国省代码: | 河北;13 |
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摘要: | 本发明提供一种气体阻隔膜及其应用,所述气体阻隔膜由基材、基材的一面或两面上形成的密着层和在密着层上形成的至少一层阻隔层组成;所述密着层和阻隔层均为含碳氧化硅层,所述密着层的Si/O/C元素比为100/175/50~100,厚度为5~30nm,所述阻隔层的Si/O/C元素比为100/175/20~40,厚度为10~30nm。本发明的气体阻隔膜可与其它材料复合后用于制作透明高阻隔包装容器。 1 | ||
搜索关键词: | 气体阻隔膜 密着层 阻隔层 元素比 基材 高阻隔包装 含碳氧化硅 材料复合 应用 透明 制作 | ||
【主权项】:
1.一种气体阻隔膜,其特征在于,所述气体阻隔膜由基材、在基材的一面或两面上形成的密着层和在密着层上形成的至少一层阻隔层组成;所述密着层和阻隔层均为含碳氧化硅层,所述密着层的Si/O/C元素质量比为100/175/50~100,厚度为5~30nm,所述阻隔层的Si/O/C元素比为100/175/20~40,厚度为10~30nm。2.根据权利要求1所述气体阻隔膜,其特征在于,所述气体阻隔膜的光线透过率为89%~91%,氧气透过率为0.1~1cc/m2/day。3.根据权利要求1所述气体阻隔膜,其特征在于,所述密着层折射率为1.50~1.75,所述阻隔层折射率为1.40~1.60。4.根据权利要求1所述气体阻隔膜,其特征在于,所述密着层具有1030cm‑1~1060cm‑1之间的Si‑O‑Si伸缩振动基红外吸收峰,所述阻隔层具有1055cm‑1~1065cm‑1之间的Si‑O‑Si伸缩振动基红外吸收峰。5.根据权利要求1所述气体阻隔膜,其特征在于,所述基材为光学透过率优选为90%以上的透明塑料薄膜。6.根据权利要求5所述气体阻隔膜,其特征在于,所述透明塑料薄膜为聚烯烃类、聚苯乙烯类、聚碳酸酯类、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚酰胺类、聚氨酯类或纤维素类等的薄膜或片材。7.一种气体阻隔膜的用途,其特征在于,将权利要求1‑6中任一项所述气体阻隔膜用于制备透明高阻隔包装容器。
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