[发明专利]一种非带隙无电阻基准源

摘要

一种非带隙无电阻基准源，属于模拟集成电路领域。包括启动电路、阈值电压提取电路、偏置电路和正温度系数电压产生电路，启动电路的输出端连接阈值电压提取电路的控制端和偏置电路的输入端；阈值电压提取电路的第一输出端连接偏置电路的输入端，其第二输出端连接正温度系数电压产生电路的输入端；偏置电路的输出端连接正温度系数电压产生电路的偏置端，为正温度系数电压产生电路提供偏置电压；正温度系数电压产生电路的输出端输出基准电压VREF。本发明提出的基准源同时满足了基准源低功耗和小面积的需求，且利用高阶补偿电路使得所产生的正温度系数电压V_PTAT具有更好的线性度，在不增大功耗的前提下大大降低基准的温度系数。

主权项

1.一种非带隙无电阻基准源，其特征在于，包括启动电路、阈值电压提取电路、偏置电路和正温度系数电压产生电路，所述启动电路的输出端连接所述阈值电压提取电路的控制端和偏置电路的输入端；所述阈值电压提取电路的第一输出端连接所述偏置电路的输入端，其第二输出端连接所述正温度系数电压产生电路的输入端；所述偏置电路的输出端连接所述正温度系数电压产生电路的偏置端，为所述正温度系数电压产生电路提供偏置电压；所述正温度系数电压产生电路的输出端输出基准电压(VREF)；所述阈值电压提取电路包括第一NMOS管(MN1)、第二NMOS管(MN2)、第三NMOS管(MN3)、第一PMOS管(MP1)、第二PMOS管(MP2)、第三PMOS管(MP3)、第四PMOS管(MP4)、第六PMOS管(MP6)和第七PMOS管(MP7)，第一NMOS管(MN1)的栅漏互连并连接第一PMOS管(MP1)的漏极、第二NMOS管(MN2)的栅极和第三NMOS管(MN3)的栅极，第一PMOS管(MP1)的的栅极连接第二PMOS管(MP2)的漏极、第三PMOS管(MP3)的源极和第六PMOS管(MP6)的栅极并作为所述阈值电压提取电路的控制端，第六PMOS管(MP6)的栅极作为所述阈值电压提取电路的第一输出端；第四PMOS管(MP4)的栅漏互连并连接第三PMOS管(MP3)的栅极和第三NMOS管(MN3)的漏极，其源极连接第二PMOS管(MP2)的栅极、第三PMOS管(MP3)的漏极和第二NMOS管(MN2)的漏极；第七PMOS管(MP7)的栅漏短接并接地，其源极连接第六PMOS管(MP6)的漏极并作为所述阈值电压提取电路的第二输出端，第一PMOS管(MP1)、第二PMOS管(MP2)和第六PMOS管(MP6)的源极接电源电压，第一NMOS管(MN1)、第二NMOS管(MN2)和第三NMOS管(MN3)的源极接地；所述正温度系数电压产生电路包括第五NMOS管(MN5)、第六NMOS管(MN6)、第七NMOS管(MN7)、第八NMOS管(MN8)、第八PMOS管(MP8)、第九PMOS管(MP9)、第十PMOS管(MP10)、第十一PMOS管(MP11)、第十二PMOS管(MP12)、第十三PMOS管(MP13)、第十四PMOS管(MP14)和第十五PMOS管(MP15)，第八PMOS管(MP8)的栅漏短接并连接第五NMOS管(MN5)的漏极和第九PMOS管(MP9)的栅极，第十PMOS管(MP10)的栅极作为所述正温度系数电压产生电路的输入端，其源极连接第九PMOS管(MP9)的漏极和第十一PMOS管(MP11)的源极；第六NMOS管(MN6)的栅极连接第五NMOS管(MN5)、第七NMOS管(MN7)和第八NMOS管(MN8)的栅极并作为所述正温度系数电压产生电路的偏置端，其漏极连接第十一PMOS管(MP11)的栅极和漏极以及第十四PMOS管(MP14)的栅极；第十三PMOS管(MP13)的栅极连接第十二PMOS管(MP12)的栅极和漏极以及第七NMOS管(MN7)的漏极，其漏极连接第十四PMOS管(MP14)和第十五PMOS管(MP15)的源极；第十五PMOS管(MP15)的栅极连接其漏极和第八NMOS管(MN8)的漏极并作为所述正温度系数电压产生电路的输出端；第八PMOS管(MP8)、第九PMOS管(MP9)、第十二PMOS管(MP12)和第十三PMOS管(MP13)的源极连接电源电压，第五NMOS管(MN5)、第六NMOS管(MN6)、第七NMOS管(MN7)和第八NMOS管(MN8)的源极以及第十PMOS管(MP10)和第十四PMOS管(MP14)的漏极接地。