[发明专利]一种用于核辐射探测的高迁移率共掺杂碲锌镉晶体及制备方法在审
| 申请号： | 201711186590.1 | 申请日： | 2017-11-24 |
| 公开（公告）号： | CN108103581A | 公开（公告）日： | 2018-06-01 |
| 发明（设计）人： | 王涛;艾莘;殷子昂;杨帆;查钢强;介万奇 | 申请（专利权）人： | 西北工业大学 |
| 主分类号： | C30B29/48 | 分类号： | C30B29/48;C30B11/02 |
| 代理公司： | 西北工业大学专利中心 61204 | 代理人： | 王鲜凯 |
| 地址： | 710072 *** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种用于核辐射探测的高迁移率共掺杂碲锌镉晶体及制备方法，使用两种元素掺杂补偿晶体生长中不可避免的本征缺陷以及减少残留杂质，以同时实现较好的半绝缘性能和优良的载流子输运性能。本发明生长出的共掺杂CZT晶体，其电学性能中的电子迁移率有了极大提升，可达1340cm2/Vs，比目前文献报道的单独In掺杂晶体提升了约20‑58％，极大的改善了载流子输运性能。生长出的共掺杂CZT，其特征是呈半绝缘特性(高阻)，电阻率可达1010的数量级，电子迁移率高，完全满足核辐射探测器的性能求。 | ||
| 搜索关键词： | 共掺杂 电子迁移率 核辐射探测 载流子输运 碲锌镉晶体 高迁移率 半绝缘 制备 生长 核辐射探测器 本征缺陷 补偿晶体 电学性能 元素掺杂 电阻率 高阻 掺杂 残留 | ||
【主权项】：
1.一种用于核辐射探测的高迁移率共掺杂碲锌镉晶体，其特征在于：选择Ⅲ或Ⅶ族元素与镧系元素共掺杂的晶体为Cd1-x Znx Te，0≤x≤1。
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