[发明专利]一种用于核辐射探测的高迁移率共掺杂碲锌镉晶体及制备方法在审
| 申请号： | 201711186590.1 | 申请日： | 2017-11-24 |
| 公开（公告）号： | CN108103581A | 公开（公告）日： | 2018-06-01 |
| 发明（设计）人： | 王涛;艾莘;殷子昂;杨帆;查钢强;介万奇 | 申请（专利权）人： | 西北工业大学 |
| 主分类号： | C30B29/48 | 分类号： | C30B29/48;C30B11/02 |
| 代理公司： | 西北工业大学专利中心 61204 | 代理人： | 王鲜凯 |
| 地址： | 710072 *** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 共掺杂 电子迁移率 核辐射探测 载流子输运 碲锌镉晶体 高迁移率 半绝缘 制备 生长 核辐射探测器 本征缺陷 补偿晶体 电学性能 元素掺杂 电阻率 高阻 掺杂 残留 | ||
1.一种用于核辐射探测的高迁移率共掺杂碲锌镉晶体，其特征在于：选择Ⅲ或Ⅶ族元素与镧系元素共掺杂的晶体为Cd
2.根据权利要求1所述用于核辐射探测的高迁移率共掺杂碲锌镉晶体，其特征在于：所述Ⅲ或Ⅶ族元素为Al，Ga，In或Cl。
3.根据权利要求1所述用于核辐射探测的高迁移率共掺杂碲锌镉晶体，其特征在于：所述镧系元素为La，Ce，Pr，Nd，Pm，Sm，Eu，Gd，Td，Dy，Ho，Er，Tm，Yb或Lu。
4.根据权利要求1所述用于核辐射探测的高迁移率共掺杂碲锌镉晶体，其特征在于：所述Ⅲ或Ⅶ族元素掺杂浓度在100ppb-100ppm之间。
5.根据权利要求1所述用于核辐射探测的高迁移率共掺杂碲锌镉晶体，其特征在于：所述镧系稀土元素掺杂浓度在100ppb-1000ppm之间。
6.一种权利要求1～5所述任一项用于核辐射探测的高迁移率共掺杂碲锌镉晶体的生长方法，其特征在于步骤如下：
步骤1：将掺入的Ⅲ或Ⅶ族元素和镧系元素的CZT原料放入石英安瓿混合均匀；
步骤2：抽真空石英安瓿，真空度达5×10
7.根据权利要求6所述生长方法，其特征在于：取出步骤2生长完毕的石英安瓿，使用外圆切割机切割，取出晶锭，使用金刚石线切割机切割晶锭和晶片。
8.根据权利要求6所述生长方法，其特征在于：所述步骤2中将石英安瓿放置于ACRT-B型晶体生长设备中生长得到Cd
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