[发明专利]一种纳米间隙可控的硅基阵列的制备方法及其应用有效
| 申请号： | 201711185389.1 | 申请日： | 2017-11-23 |
| 公开（公告）号： | CN108152264B | 公开（公告）日： | 2020-12-01 |
| 发明（设计）人： | 杨绍松;刘广强;赵倩;郭静;蔡伟平 | 申请（专利权）人： | 中国科学院合肥物质科学研究院 |
| 主分类号： | G01N21/65 | 分类号： | G01N21/65;B82Y30/00;B82Y40/00;C23C14/16;C23C14/30;C23C14/35 |
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| 地址： | 230031 安徽*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种纳米间隙可控的硅基阵列的制备方法及其应用，包括：制备硅片基底单层聚苯乙烯胶体晶体阵列；采用反应离子刻蚀法对硅片基底单层聚苯乙烯胶体晶体阵列进行刻蚀，并在刻蚀完成后去除单层聚苯乙烯胶体晶体阵列，制得锥形硅基阵列；以所述锥形硅基阵列为模板，采用物理沉积方法在该模板的表面沉积一层厚度为10～50nm的金膜，并在锥形硅基的顶部沉积形成金纳米球，通过控制沉积时间调整金纳米球间距，制得纳米间隙可控的硅基阵列。它构造面积大、表面洁净、灵敏度高、检测性好，可直接作为长期稳定且具有高活性表面增强拉曼效应的衬底材料，用于对糖精钠的浓度进行快速痕量检测。本发明制备方法简单、操作方便、成本低廉、经济环保。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 纳米 间隙 可控 阵列 制备 方法 及其 应用 | ||
【主权项】：
一种纳米间隙可控的硅基阵列的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤A、在硅片基底上制备紧密排列的单层聚苯乙烯胶体晶体阵列，从而得到硅片基底单层聚苯乙烯胶体晶体阵列；步骤B、采用反应离子刻蚀法对所述硅片基底单层聚苯乙烯胶体晶体阵列进行刻蚀，并在刻蚀完成后去除硅片基底上的单层聚苯乙烯胶体晶体阵列，制得锥形硅基阵列；步骤C、以所述锥形硅基阵列为模板，采用物理沉积方法在该模板的表面沉积一层厚度为10～50nm的金膜，并在锥形硅基的顶部沉积形成金纳米球，通过控制沉积时间调整金纳米球间距，从而制得纳米间隙可控的硅基阵列。
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