[发明专利]钨填充凹槽结构的方法

摘要

本发明公开了一种钨填充凹槽结构的方法，包括步骤：步骤一、形成凹槽结构；步骤二、形成氮化钛层；步骤三、采用WF6作为钨源形成钨成核层；步骤四、进行氟去除处理；步骤五、进行采用WF6作为钨源的CVD工艺淀积钨主体层；步骤六、进行钨的化学机械性研磨工艺，形成仅由填充于凹槽结构中的氮化钛层、钨成核层和钨主体层组成的钨金属结构。本发明能降低钨成核层中的氟残留，减少氮化钛层的厚度，从而能降低整个钨金属结构的电阻并提升器件的性能。

主权项

1.一种钨填充凹槽结构的方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一、形成凹槽结构；步骤二、形成氮化钛层，氮化钛层作为后续钨填充的粘附层和氟扩散阻挡层；所述氮化钛层形成于所述凹槽结构的内侧表面并延伸到所述凹槽结构外的表面；所述氮化钛层的厚度根据后续形成的钨金属结构中的氟残留量进行设置，所述钨金属结构中的氟残留量越低，所述氮化钛层的厚度越薄，所述钨金属结构电阻越低；步骤三、采用WF6作为钨源在所述氮化钛层表面形成钨成核层；步骤四、进行去除所述钨成核层中的氟残留的氟去除处理；步骤五、进行采用WF6作为钨源的CVD工艺在所述钨成核层的表面淀积钨主体层并将所述凹槽结构完全填充；步骤六、进行钨的化学机械性研磨工艺将所述凹槽结构外的所述钨主体层、所述钨成核层、所述氮化钛层都去除，形成仅由填充于所述凹槽结构中的所述氮化钛层、所述钨成核层和所述钨主体层组成的钨金属结构。