[发明专利]一种单层单晶石墨烯的制备方法有效
| 申请号： | 201711147438.2 | 申请日： | 2017-11-17 |
| 公开（公告）号： | CN107640763B | 公开（公告）日： | 2020-02-04 |
| 发明（设计）人： | 孙海斌;高延利;付灿;王其尚;许军旗;马竞瑶;申雨健 | 申请（专利权）人： | 信阳师范学院 |
| 主分类号： | C01B32/186 | 分类号： | C01B32/186 |
| 代理公司： | 41111 郑州大通专利商标代理有限公司 | 代理人： | 陈勇 |
| 地址： | 464000 河*** | 国省代码： | 河南;41 |
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| 摘要： | 本发明提供一种单层单晶石墨烯的制备方法，包括以下步骤：将装有铜基催化剂的半封闭石英试管放入管式炉中，装有固体碳源的称量瓶放入管式炉靠近进气口的一端，通入惰性气体；持续通入惰性气体，将铜基催化剂加热升温至600℃～800℃，然后恒温保持30～120min；停止通入惰性气体，开始通入还原性气体，将铜基催化剂加热升温至1000℃～1050℃，然后恒温保持60～120min，迅速降温，即可在铜基催化剂表面得到单层单晶石墨烯。本发明操作方便，简单易行，安全可靠，成本较低，可控性强，用于高端电子器件和集成电路，为实现单层单晶石墨烯的产业化道路提供了一种技术支持。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 单层 晶石 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种单层单晶石墨烯的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：/n步骤a：将装有铜基催化剂的试管放入管式炉中，装有固体碳源的称量瓶放入管式炉靠近进气口的一端，向管式炉中通入惰性气体，使惰性气体充满管式炉；/n所述的铜基催化剂为多晶铜箔；/n所述的试管为半封闭石英试管，铜基催化剂放在半封闭石英试管的管口；/n步骤b：持续通入惰性气体，将铜基催化剂加热升温至600℃～800℃，然后恒温保持30～120min；/n步骤c：停止通入惰性气体，开始通入还原性气体，将铜基催化剂加热升温至1000℃～1050℃，然后恒温保持60～120min，迅速降温，即可在铜基催化剂表面得到单层单晶石墨烯。/n
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