[发明专利]一种二硫化钼靶材的制备方法

摘要

本发明公开了一种二硫化钼靶材的制备方法，该方法包括以下步骤：一、将二硫化钼粉末进行真空低温热处理；二、将真空低温热处理后的二硫化钼粉末进行保护气氛热压烧结，得到二硫化钼坯料；三、将二硫化钼坯料进行机械加工和清洗，最终得到二硫化钼靶材。本发明直接采用保护气氛热压烧结法制备二硫化钼靶材，一次成型，无需对二硫化钼粉末进行球磨或压制粗坯，缩短了工艺流程，避免了二硫化钼的分解，提高了生产效率和靶材的致密度；该方法得到的二硫化钼靶材的质量纯度和密度均较高，且尺寸和形状可控，适宜规模化生产。

主权项

1.一种二硫化钼靶材的制备方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：步骤一、将二硫化钼粉末进行真空低温热处理；所述真空低温热处理的真空度为1.1×10^‑2Pa～4.8×10^‑3Pa，温度为300℃～900℃，时间为15min～120min；步骤二、将步骤一中经真空低温热处理后的二硫化钼粉末进行保护气氛热压烧结，得到二硫化钼坯料；所述保护气氛热压烧结的温度为800℃～1300℃，压力为30MPa～500MPa，时间为15min～240min，保护气氛为氩气或氮气；步骤三、将步骤二中得到的二硫化钼坯料进行机械加工和清洗，最终得到二硫化钼靶材。