[发明专利]一种高能量密度氢氧化钴薄膜电极的原位制备方法在审
| 申请号： | 201711133636.3 | 申请日： | 2017-11-16 |
| 公开（公告）号： | CN107946547A | 公开（公告）日： | 2018-04-20 |
| 发明（设计）人： | 樊玉欠;王慧娟;董月;王璐萌;武迎华;曾磊;李子轩;张文波 | 申请（专利权）人： | 燕山大学 |
| 主分类号： | H01M4/29 | 分类号： | H01M4/29 |
| 代理公司： | 秦皇岛一诚知识产权事务所(普通合伙)13116 | 代理人： | 续京沙 |
| 地址： | 066004 河北省*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 一种高能量密度氢氧化钴薄膜电极的原位制备方法，其主要步骤包括(1)将金属集流体清洗除尘、除油以获得清洁的表面；(2)通过电镀技术在集流体表面电沉积金属钴层，控制钴镀层厚度在1‑20微米；(3)配置原位制备所用的电解质溶液，溶剂为去离子水，溶质主要成分为金属碱；(4)将清洗干净的镀钴的电极浸入到所配置的电解质溶液中，通过电化学氧化‑还原技术对电极表面进行持续活化，即可获得具有高能量密度的氢氧化钴薄膜电极。本发明工艺简单、易于操作、生产成本低，所制备薄膜电极在碱性体系中储能活性高，原材料易回收，适合工业化大生产。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高能量 密度 氢氧化 薄膜 电极 原位 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种高能量密度氢氧化钴薄膜电极的原位制备方法，其特征在于：它包括以下步骤：(1)将金属集流体清洗除尘、除油以获得清洁的表面；(2)通过常规能够获得钴镀层的电镀技术在集流体表面电沉积金属钴层，控制钴镀层厚度在1‑20微米，制得镀钴的电极；(3)配置原位制备所用的电解质溶液，溶剂为去离子水，溶质主要成分为金属碱；(4)将清洗干净的镀钴的电极浸入到所配置的电解质溶液中，通过电化学氧化‑还原技术对电极表面进行持续活化，获得高能量密度氢氧化钴薄膜电极。
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