[发明专利]一种陶瓷高产装烧方法在审

专利信息
申请号: 201711128721.0 申请日: 2017-11-15
公开(公告)号: CN107935558A 公开(公告)日: 2018-04-20
发明(设计)人: 张熙茹;钱芳芳;杨丽珠;陆沁 申请(专利权)人: 苏州工业园区职业技术学院
主分类号: C04B33/32 分类号: C04B33/32;F27D5/00;F27D3/00
代理公司: 苏州广正知识产权代理有限公司32234 代理人: 孙茂义
地址: 215600 江*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明公开了一种陶瓷高产装烧方法,包括以下步骤(1)瓷窑为碉堡状,瓷窑内部设置有多层分隔层,每层分隔层上均设置有瓷柜;(2)将支撑的胚体自然阴干以后,按照大小顺序依次摆放,并且在摆放过程中,装胚体之间使用钢片进行分隔,再讲多个重叠的胚体全部装入到瓷柜中;(3)瓷窑中的烧制温度包括中间温度350‑1000℃,高温1000‑烧成的温度以及低温阶段和冷却阶段;(4)瓷柜每隔三个小时上下翻动一次;(5)瓷柜的尺寸不同,最底层的瓷柜的尺寸大于最顶层的瓷柜的尺寸。此烧制方法可以一次烧制多个瓷器,并且瓷器在烧制过程中不易与灰尘接触,提高了瓷器的产量,降低了成本。
搜索关键词: 一种 陶瓷 高产 方法
【主权项】:
一种陶瓷高产装烧方法,其特征在于,包括以下步骤:(1)瓷窑为碉堡状,瓷窑内部设置有多层分隔层,每层分隔层上均设置有瓷柜,每个瓷柜之间的距离20‑30cm,每个分隔层之间的距离为20cm,瓷柜的形状为方形或者正方形;(2)将支撑的胚体自然阴干以后,按照大小顺序依次摆放,并且在摆放过程中,装胚体之间使用钢片进行分隔,再讲多个重叠的胚体全部装入到瓷柜中;(3)瓷窑中的烧制温度包括:中间温度350‑1000℃,高温1000‑烧成的温度以及低温阶段和冷却阶段;(4)瓷柜每隔三个小时上下翻动一次;(5)瓷柜的尺寸不同,最底层的瓷柜的尺寸大于最顶层的瓷柜的尺寸。
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