[发明专利]半导体制造系统在审
| 申请号： | 201711127801.4 | 申请日： | 2017-11-15 |
| 公开（公告）号： | CN109427617A | 公开（公告）日： | 2019-03-05 |
| 发明（设计）人： | 林思宏 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 一种半导体制造系统，包括腔室、入口阀门及控制装置。腔室用以进行半导体制程。入口阀门经耦接至腔室及设施水源。控制装置经耦接至入口阀门，并且用以当腔室闲置时至少部分地关闭入口阀门。 | ||
| 搜索关键词： | 入口阀门 腔室 半导体制造系统 控制装置 耦接 半导体制程 闲置 水源 | ||
【主权项】：
1.一种半导体制造系统，其特征在于，包含：一腔室，用以进行一半导体制程；一入口阀门，耦接至该腔室及一设施水源；以及一控制装置，耦接至该入口阀门并且用以当该腔室闲置时至少部分地关闭该入口阀门。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
