[发明专利]三维储存元件及其制造方法

摘要

本发明公开一种三维储存元件及其制造方法。三维储存元件包括多条底部源极线、叠层体、多条位线以及多个柱状结构。多条底部源极线沿着第一水平方向延伸。叠层体设置于多条底部源极线，其中，叠层体包括相互隔离且位于不同阶层的复合结构，且每一复合结构包括一栅导电层以及包覆栅导电层的铁电层。多条位线设置于叠层体上，并沿着一第二水平方向延伸。多条位线与多条底部源极线彼此交错。多个柱状结构贯穿叠层体。每一柱状结构连接于相对应的位线与相对应的底部源极线之间，且每一复合结构和相对应的柱状结构形成记忆胞。每一柱状结构包括阻隔层、栅绝缘层以及通道层，且铁电层与栅绝缘层通过阻隔层的阻隔而相互隔离。

主权项

1.一种三维储存元件，其特征在于，所述三维储存元件包括：多条底部源极线，多条所述底部源极线沿着一第一水平方向延伸；一叠层体，其设置于多条所述底部源极线，其中，所述叠层体包括相互隔离且位于不同阶层的复合结构，且每一所述复合结构包括一栅导电层以及包覆所述栅导电层的铁电层；多条位线，其设置于所述叠层体上，并沿着一第二水平方向延伸，其中，多条所述位线与多条所述底部源极线彼此交错；以及多个柱状结构，其贯穿所述叠层体，其中，每一所述柱状结构连接于相对应的所述位线与相对应的所述底部源极线之间，且每一所述复合结构和相对应的所述柱状结构形成一记忆胞；其中，每一所述柱状结构包括一阻隔层、一栅绝缘层以及一通道层，且所述铁电层与所述栅绝缘层通过所述阻隔层的阻隔而相互隔离。