[发明专利]同心流反应器在审
申请号: | 201711114531.3 | 申请日: | 2013-05-24 |
公开(公告)号: | CN107740070A | 公开(公告)日: | 2018-02-27 |
发明(设计)人: | G.阿科特;M.马格努斯森;O.波斯特;K.德佩特;L.萨姆伊森;J.欧森 | 申请(专利权)人: | 索尔伏打电流公司 |
主分类号: | C23C16/30 | 分类号: | C23C16/30;C23C16/455;C30B11/00;C30B11/12;C30B23/00;C30B25/00;C30B25/02;C30B25/14;C30B29/06;C30B29/40;C30B29/42;C30B29/60;C30B29/62 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司72001 | 代理人: | 李进,杨思捷 |
地址: | 瑞典*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明涉及同心流反应器。一种气相纳米线生长装置,其包括反应室(200)、第一输入端和第二输入端(202B,202A)。第一输入端同心位于第二输入端内,并且第一输入端和第二输入端经布置,使得从第二输入端输送的第二流体在从第一输入端输送的第一流体和反应室壁之间提供包覆。可用催化剂颗粒气溶胶生长纳米线。 | ||
搜索关键词: | 同心 反应器 | ||
【主权项】:
一种气相纳米线生长装置,所述气相纳米线生长装置包括:反应室;第一输入端;和第二输入端,其中所述第一输入端同心位于所述第二输入端内,并且所述第一输入端和第二输入端经布置,使得从所述第二输入端输送的第二流体在从所述第一输入端输送的第一流体和所述反应室的壁之间提供包覆。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的