[发明专利]具奈米金属阵列的可挠式触控感测器及其制作方法在审
| 申请号： | 201711101630.8 | 申请日： | 2017-11-10 |
| 公开（公告）号： | CN107704140A | 公开（公告）日： | 2018-02-16 |
| 发明（设计）人： | 蔡缘蓁 | 申请（专利权）人： | 业成科技（成都）有限公司;业成光电（深圳）有限公司;英特盛科技股份有限公司 |
| 主分类号： | G06F3/041 | 分类号： | G06F3/041 |
| 代理公司： | 深圳市世纪恒程知识产权代理事务所44287 | 代理人： | 胡海国 |
| 地址： | 610000 四川*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种具奈米金属阵列的可挠式触控感测器及其制作方法，于可挠式触控感测器表面上制作奈米等级点阵均匀分布的三角锥金属点。该等三角锥金属点可以有效降低阻抗却不影响光穿透率，此外可以使可挠式触控感测器的弯折直径下降到2毫米，仍然不会出现龟裂、电性异常等现象，有效提高制程良率以及提供更佳的产品设计应用。 | ||
| 搜索关键词： | 具奈米 金属 阵列 可挠式触控感测器 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种具奈米金属阵列的可挠式触控感测器制作方法，包括下列步骤：a提供一氧化铟锡薄膜以及一奈米球溶液，该奈米球溶液包括一液体以及奈米等级的复数个球体分子；b将该奈米球溶液涂布于该氧化铟锡薄膜的一表面上；c使该等球体分子自组装排列并附着于该表面形成一遮罩层；d利用该遮罩层的孔隙于该表面形成一金属阵列；e移除该遮罩层；以及f于该氧化铟锡薄膜上制作导电线路。
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